[实用新型]一种高出光率紫外LED晶片结构有效
| 申请号： | 201720577107.1 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN206992139U | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 郭政伟 | 申请（专利权）人： | 广东新锐流铭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523867 广东省东莞市长*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高出光率紫外LED晶片结构，包括透明绝缘基板、及设置于透明绝缘基板上的若干LED晶片，其中，该LED晶片整体呈梯形体结构，且该LED晶片表面为凹凸状粗糙面；在该LED晶片外围设置有一透光传热窗口层，并在该透光传热窗口层与LED晶片之间预留有一散热空腔。本实用新型结构设计合理，散热效果好，出光率高，发光效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高出光率 紫外 led 晶片 结构 | ||
【主权项】：
一种高出光率紫外LED晶片结构，其特征在于，包括透明绝缘基板、及设置于透明绝缘基板上的若干LED晶片，其中，该LED晶片整体呈梯形体结构，且该LED晶片表面为凹凸状粗糙面；在该LED晶片外围设置有一透光传热窗口层，并在该透光传热窗口层与LED晶片之间预留有一散热空腔。
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- 2016-12-27 - 2019-02-15 - H01L33/22
- 本发明公开一种半导体发光器件制作的方法，包括如下步骤：在衬底上生产缓冲层和第一半导体层；在第一半导体层上制作周期性图案，并将周期性图案转移到衬底表面，在衬底表面获取表面改性区域；去除缓冲层和第一半导体层；在衬底上重新生长第二半导体层、发光层和第三半导体层。本发明还公开一种半导体发光器件，包括：衬底，以及衬底表面具有改性区域，以及依次在衬底结构上生长出的第二半导体层、发光层和第三半导体层。本发明通过外延工艺将部分半导体层区域改性处理，获得表面粗化的LED外延片的同时，且不会增加LED芯片的工作电压，提高了LED芯片的发光效率。
- 一种发光二极管-201820693182.9
- 林坤德;钟秉宪;吴俊毅 - 天津三安光电有限公司
- 2018-05-10 - 2019-02-05 - H01L33/22
- 本实用新型提供一种发光二极管包括第一半导体层、发光层、第二半导体层以及出光面，位于出光面表面的电流扩展条，电流扩展条下方的出光面包括周围的平台以及蚀刻粗化处理面，其特征在于：沿着扩展条下方周围出光面形成平台的宽度小于或等于0.5um，出光面的蚀刻深度大于或等于0.7um，能够有效地保证电极下方的发光层出光效果以及扩展条在下方不会脱离。
- 发光器件-201410344553.9
- 成演准;张正训;丁圣勋 - LG伊诺特有限公司
- 2014-07-18 - 2019-01-29 - H01L33/22
- 本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：第一半导体层；第二半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及第一光提取层，设置在所述第一半导体层上，并且包括氮化物半导体层。这里，所述第一光提取层包括多个第一层。所述多个第一层的折射率随着离所述第一半导体层的距离增大而减小。本发明能够使发光器件的光提取效率得以提高。
- 生长在玻璃衬底上的LED外延片及其制备方法-201611226923.4
- 李国强;高芳亮;王文樑 - 华南理工大学
- 2016-12-27 - 2019-01-29 - H01L33/22
- 本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱，生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好，发光性能优良的优点。
- 一种LED芯片的制备方法及LED芯片-201811274077.2
- 邹微微;徐洲;李波;杭伟;赵鹏 - 扬州乾照光电有限公司
- 2018-10-30 - 2019-01-15 - H01L33/22
- 本申请提供了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，以简化LED芯片的制备流程，提高芯片的出光率。这种LED芯片制备方法包括：在衬底上形成反射层；在反射层上形成外延层，外延层包括依次形成于反射层上的N型层、发光层和P型层；在P型层上形成窗口层；在窗口层上形成金属薄膜层，金属薄膜呈颗粒状，相邻颗粒之间存在间隙；透过金属薄膜层的间隙蚀刻窗口层后，去除金属薄膜层，使得窗口层上表面形成粗化深度小于设定值的粗化面；在窗口层上形成导电增透膜；在导电增透膜上形成P型电极层，在衬底背面形成N型电极层。
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