[发明专利]一种石墨盘及发光二极管的制作方法有效
申请号: | 201711476174.5 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108172667B | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 蔡家豪;郑烨;冯克耀;王亚杰;邱智中;蔡吉明 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/08;C30B25/12 |
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地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明属于半导体领域,尤其涉及一种石墨盘及发光二极管的制作方法,通过在石墨盘凹槽侧壁水平设置相对的第一内凹区和第二内凹区,基板置于凹槽内,基板上盖有具有相同图案的第一盖板和第二盖板,第一盖板和第二盖板在石墨盘旋转离心的作用下分别向第一内凹区和第二内凹区内偏移一定距离,从而分区暴露出基板的表面并外延生长不同波长的外延层,形成具有两种波长外延层的晶圆,进一步地,将具有第三波长的外延层通过晶粒转移方式置于前述晶圆上,从而形成第一波长外延层、第二波长外延层与第三波长外延层发出的混合光为白光的晶圆。在现有工艺基础上,采用盖板即可在同一外延生长机台腔室中形成发射不同波长光的外延层,工艺简单,操作方便。 | ||
搜索关键词: | 外延层 波长 盖板 内凹 基板 晶圆 外延生长 石墨盘 半导体领域 发光二极管 晶粒 凹槽侧壁 工艺基础 机台腔室 水平设置 波长光 混合光 偏移 石墨 白光 上盖 盘旋 分区 图案 发射 暴露 制作 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管的制作方法,至少包括如下步骤:/nS1、提供复数个基板和一石墨盘,所述石墨盘具有复数个放置基板的凹槽,每一凹槽侧壁水平设置有相对的第一内凹区和第二内凹区,第二内凹区与凹槽底部的距离大于第一内凹区与凹槽底部的距离;/nS2、提供具有相同图案的第一盖板和第二盖板,第一盖板置于基板表面,第二盖板置于第一盖板表面;所述第一盖板和第二盖板的图案均包括条状平行的交替排列的镂空区和遮挡区,其中镂空区的宽度大于每一遮挡区,小于或等于与所述镂空区相邻的两个遮挡区的宽度之和;/nS3、旋转石墨盘,第一盖板在离心力的作用下部分偏移至第一内凹区内,第二盖板位置不变,暴露出部分基板表面,并于暴露部分外延生长第一波长外延层;/nS4、反向旋转石墨盘,第一盖板在离心力的作用下复位,第二盖板在离心的作用下部分偏移至第二内凹区内,再次暴露出部分基板表面,并于暴露部分外延生长第二波长外延层,形成具有第一波长外延层、第二波长外延层和空白区域的晶圆。/n
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