[发明专利]半导体封装件中的导电通孔及其形成方法有效
| 申请号： | 201711338372.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108987380B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 谢正贤;许立翰;吴伟诚;陈宪伟;叶德强;吴集锡;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种实施例封装件包括密封在第一密封剂中的第一集成电路管芯；延伸穿过第一密封剂的第一贯通孔；以及设置在位于第一贯通孔和第一密封剂上方的介电层中的导电焊盘。导电焊盘包括第一区域，其中，在顶视图中，第一区域电连接至第一贯通孔并且具有环绕第一贯通孔的外边界的外边界。封装件还包括延伸穿过导电焊盘的第一区域的第一介电区。在顶视图中，第一区域的材料环绕第一介电区。本发明的实施例还涉及半导体封装件中的导电通孔及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 中的 导电 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装件，包括：第一集成电路管芯，密封在第一密封剂中；第一贯通孔，延伸穿过所述第一密封剂；导电焊盘，设置在位于所述第一贯通孔和所述第一密封剂上方的介电层中，其中，在顶视图中，所述导电焊盘包括电连接至所述第一贯通孔的第一区域，并且具有环绕所述第一贯通孔的外边界的外边界；以及第一介电区，延伸穿过所述导电焊盘的所述第一区域，其中，在顶视图中，所述第一区域的导电材料环绕所述第一介电区。
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