[发明专利]基于Ⅲ族氧化物钝化的增强型晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201711319077.5 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109920850A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张宝顺;何涛;付凯;孙驰;史峰峰;邓旭光;于国浩;范亚明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Ⅲ族氧化物钝化的增强型晶体管及其制作方法。所述制作方法包括：在衬底上生长形成异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且异质结中形成有二维电子气；在第二半导体上形成盖帽层，其包括掺杂区和钝化区，所述掺杂区由第三半导体组成并被栅极完全掩盖，钝化区分布于栅极与漏极之间以及栅极与源极之间，所述第三半导体用于将异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；制作源极、漏极以及栅极。本发明的增强型晶体管可避免刻蚀P型掺杂区引起的均匀性、重复性和引入损伤问题，还可避免氢等离子体钝化形成的高阻层在高温下可能重新被激活引起的器件可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 增强型晶体管 异质结 二维电子气 氧化物钝化 掺杂区 钝化区 漏极 制作 器件可靠性 氢等离子体 盖帽层 高阻层 均匀性 下区域 制作源 衬底 带隙 钝化 刻蚀 源极 耗尽 损伤 激活 掩盖 生长 引入 | ||
【主权项】：
1.一种基于Ⅲ族氧化物钝化的增强型晶体管的制作方法，其特征在于包括：在衬底上生长形成异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成盖帽层，所述盖帽层包括掺杂区和钝化区，所述掺杂区由第三半导体组成并被栅极完全掩盖，所述钝化区分布于栅极与漏极之间以及栅极与源极之间，所述第三半导体用于将所述异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；制作源极、漏极以及栅极，其中栅极位于源极与漏极之间，源极与漏极能够通过所述二维电子气电连接。
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