[发明专利]芯片堆栈立体封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201711138426.3 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN109801897B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L23/544;H01L21/768
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 张臻贤;武晨燕
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种芯片堆栈立体封装结构及制造方法。封装结构包括:芯片堆栈体,包括以无间隙方式直接接合的第一芯片和底层芯片;第一芯片和底层芯片分别具有第一测试垫和第一穿孔、底层测试垫和底层穿孔,第一穿孔和底层穿孔的一端分别形成有第一承接垫和底层承接垫,底层穿孔贯穿底层测试垫连通至第一承接垫,使底层芯片与第一芯片电性连接。制造方法包括:在晶圆表面形成测试垫并利用测试垫测试晶圆,满足良率基准值的晶圆直接接合;形成穿孔及承接垫使晶圆间形成电性连接;单体化切割形成芯片堆栈立体封装结构。本发明通过晶圆直接接合,缩短了芯片间信号传输距离,降低了封装尺寸;晶圆接合前测试良率,防止低良率晶圆进行堆栈,节约了成本。
搜索关键词: 芯片 堆栈 立体 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种芯片堆栈立体封装结构,其特征在于,包括:芯片堆栈体,包括第一芯片和底层芯片,所述底层芯片具有一安装表面和与该安装表面相对的堆栈背面,所述第一芯片的第一主动面与所述底层芯片的所述堆栈背面以无间隙方式直接贴合;所述底层芯片内具有多个底层穿孔和多个形成于所述底层穿孔一端的底层承接垫,所述底层穿孔贯穿所述第一芯片的第一钝化层并设置于所述第一芯片的表面焊垫上,并且所述底层穿孔更贯穿所述底层芯片的半导体层并连通到所述底层芯片的底层测试垫,以电性连接所述第一芯片与所述底层芯片。
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