[发明专利]芯片堆栈立体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片堆栈立体封装结构，其特征在于，包括：

芯片堆栈体，包括第一芯片和底层芯片，所述底层芯片具有一安装表面和与该安装表面相对的堆栈背面，所述第一芯片的第一主动面与所述底层芯片的所述堆栈背面以无间隙方式直接贴合；所述底层芯片内具有多个底层穿孔和多个形成于所述底层穿孔一端的底层承接垫，所述底层穿孔贯穿所述第一芯片的第一钝化层和第一隔离层，并设置于所述第一芯片的第一承接垫上，并且所述底层穿孔更贯穿所述底层芯片的半导体层并连通到所述底层芯片的底层测试垫，以电性连接所述第一芯片与所述底层芯片，所述底层测试垫用于对所述底层芯片进行电性能测试；所述第一隔离层覆盖所述第一芯片的第一承接垫上，所述第一钝化层位于所述底层芯片的底层衬底与所述第一隔离层之间；其中，

所述底层穿孔包括第一部分和第二部分，所述底层穿孔的第一部分自孔壁向孔中心轴依次包括绝缘层、阻挡层、种子层和导体，所述底层穿孔的第二部分自孔壁向孔中心轴依次包括阻挡层、种子层和导体；所述底层穿孔的第一部分与所述底层穿孔的第二部分的分界点位于所述第一芯片的第一测试垫和所述底层测试垫之间且靠近所述底层测试垫，以使所述底层穿孔电性连接所述底层测试垫。

2.如权利要求1所述的芯片堆栈立体封装结构，其特征在于，

所述芯片堆栈立体封装结构还包括：

第一重布线层，形成于所述安装表面上，所述第一重布线层与所述底层承接垫电性连接；

多个覆晶端子，设置于所述第一重布线层上。

3.如权利要求1所述的芯片堆栈立体封装结构，其特征在于，所述第一芯片的所述第一主动面以及所述底层芯片的所述堆栈背面均为等离子活化面。

4.如权利要求1所述的芯片堆栈立体封装结构，其特征在于：

所述第一芯片具有所述第一主动面和与所述第一主动面相对的堆栈背面，所述第一芯片具有第一有源区，所述第一有源区的表面形成所述第一测试垫，所述第一芯片内还具有多个第一穿孔和多个形成于所述第一穿孔一端的第一承接垫，所述第一芯片包括用以提供所述第一主动面的第一钝化层；

所述底层芯片具有底层有源区，所述底层测试垫形成于所述底层有源区的表面上，所述底层芯片还包括用以提供所述安装表面的底层钝化层。

5.如权利要求4所述的芯片堆栈立体封装结构，其特征在于，所述底层穿孔在所述安装表面的一端一体形成为所述底层承接垫；所述底层承接垫与所述底层钝化层之间形成有底层隔离层。

6.如权利要求4所述的芯片堆栈立体封装结构，其特征在于，在所述第一芯片的所述堆栈背面上堆栈至少一个附加芯片，各所述附加芯片的结构与所述第一芯片相同，所述附加芯片具有第二主动面和与所述第二主动面相对的堆栈背面，所述附加芯片的所述第二主动面与所述第一芯片的所述堆栈背面以无间隙方式直接贴合，所述附加芯片的多个第二测试垫形成于所述附加芯片的第二有源区的表面上，所述附加芯片包括用以提供所述第二主动面的第二钝化层；所述附加芯片还包括多个第二穿孔和多个形成于所述第二穿孔一端的第二承接垫，所述第一穿孔贯穿所述附加芯片的所述第二钝化层并连通到所述第二承接垫，以电性连接所述第一芯片与所述附加芯片。

7.如权利要求6所述的芯片堆栈立体封装结构，其特征在于，所述第一芯片和所述附加芯片均为存储芯片，所述底层芯片选自于缓冲芯片和存储芯片的其中之一。

8.如权利要求4所述的芯片堆栈立体封装结构，其特征在于，所述底层穿孔的第一部分与所述底层穿孔的第二部分的分界点与所述底层测试垫相距0~5 μm。

9.如权利要求4所述的芯片堆栈立体封装结构，其特征在于，所述第一承接垫的宽方向的尺寸为所述底层穿孔直径的2~5倍，所述第一测试垫的长方向的尺寸为所述底层穿孔直径的4~15倍。

10.如权利要求2所述的芯片堆栈立体封装结构，其特征在于，还包括基板，所述基板具有芯片接合面和端子接合面，所述芯片堆栈体经由所述覆晶端子覆晶接合于所述基板的所述芯片接合面。