[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201711095986.5 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573929B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 黄冠育;黄松辉;李百渊;许书嘉;李祥帆;黄思博 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例揭示一种半导体装置，其包含衬底、电子组件、环形结构及粘合剂层。所述衬底具有第一表面。所述电子组件在所述衬底的所述第一表面上方。所述环形结构在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合剂层插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：衬底，其具有第一表面；电子组件，其在所述衬底的所述第一表面上方；环形结构，其在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含面向所述衬底的所述第一表面的底表面，所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从所述底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分；及粘合剂层，其插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711095986.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
