[发明专利]半导体装置

说明书

本发明实施例揭示一种半导体装置，其包含衬底、电子组件、环形结构及粘合剂层。所述衬底具有第一表面。所述电子组件在所述衬底的所述第一表面上方。所述环形结构在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合剂层插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置受到广泛范围的温度变化的影响。归因于各种结构层的热膨胀系数(CTE)的差异，半导体装置遭遇翘曲问题。为了控制此翘曲，例如加强筋的环形结构被并入到半导体装置中。加强环为半导体装置提供额外的支撑，因此减少翘曲。然而，归因于热循环期间的温度变化，加强环倾向于分层，且因此不利地影响半导体装置的可靠性。

发明内容

本发明实施例涉及一种半导体装置，其包括：衬底，其具有第一表面；电子组件，其在所述衬底的所述第一表面上方；环形结构，其在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含面向所述衬底的所述第一表面的底表面，所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从所述底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分；及粘合剂层，其插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。

本发明实施例涉及一种半导体装置，其包括：衬底，其具有第一表面；电子组件，其在所述衬底的所述第一表面上方；环形结构，其在所述衬底的所述第一表面上方且与所述电子组件的边缘相邻，其中所述环形结构包含面向所述衬底的所述第一表面的底表面；及粘合剂层，其插入在所述衬底的所述第一表面与所述环形结构的所述底表面之间，其中所述粘合剂层包含具有第一厚度的第一部分及具有第二厚度的第二部分，且所述第二厚度大于所述第一厚度。

本发明实施例涉及一种半导体装置，其包括：衬底，其具有第一表面；电子组件，其在所述衬底的所述第一表面上方；环形结构，其在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含面向所述衬底的所述第一表面的底表面；及粘合剂层，其插入在所述衬底的所述第一表面与所述环形结构的所述底表面之间，其中所述粘合剂层进一步经延伸以安置在所述环形结构的内边缘上。

附图说明

在结合附图阅读时根据以下详述最佳地理解本发明的实施例的方面。应注意，根据标准行业惯例，各种结构不一定按比例绘制。实际上，为了使讨论清楚起见可任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1是说明根据本发明实施例的一或多个实施例的各个方面的用于制造半导体装置的方法的流程图。

图2是根据本发明实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。

图2A是沿着图2的线A-A'截取的半导体装置的示意横截面视图。

图2B是沿着图2的线B-B'截取的半导体装置的示意横截面视图。

图3是根据本发明实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。

图3A是沿着图3的线C-C'截取的半导体装置的示意横截面视图。

图3B是沿着图3的线D-D'截取的半导体装置的示意横截面视图。

图4是根据本发明实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。

图4A是沿着图4的线E-E'截取的半导体装置的示意横截面视图。

图5是根据本发明实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。

图6是根据本发明实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。

图7是根据本发明实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。