[发明专利]包括具有多层结构的反射器层的半导体发光装置在审
| 申请号： | 201711091194.0 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108075021A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 金廷城;郭重熙;梁成锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二半导体层上的第一绝缘层，其包括具有第一宽度的多个第一开口和具有与第一宽度不同的第二宽度的多个第二开口；第一电极，其通过第一开口电连接至第一半导体层；第二半导体层与第一绝缘层之间的第一子电极层，第一子电极层通过第二开口暴露出来；以及第一绝缘层上的第二子电极层，所述第二子电极层通过第二开口连接至第一子电极层，其中，彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离不同于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 半导体层 子电极层 绝缘层 半导体发光装置 第一电极 多层结构 发光结构 反射器层 电连接 堆叠 源层 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二半导体层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括：多个第一开口，所述多个第一开口中的每一个具有第一宽度，以及多个第二开口，所述多个第二开口中的每一个具有与第一宽度不同的第二宽度；第一电极，其通过第一开口电连接至第一半导体层；第二半导体层与第一绝缘层之间的第一子电极层，所述第一子电极层通过第二开口暴露出来；以及第一绝缘层上的第二子电极层，所述第二子电极层通过第二开口连接至第一子电极层，其中，彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离不同于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。
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