[发明专利]包括具有多层结构的反射器层的半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包括：

发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

第二半导体层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括：

多个第一开口，所述多个第一开口中的每一个具有第一宽度，以及

多个第二开口，所述多个第二开口中的每一个具有与第一宽度不同的第二宽度；

第一电极，其通过第一开口电连接至第一半导体层；

第二半导体层与第一绝缘层之间的第一子电极层，所述第一子电极层通过第二开口暴露出来；以及

第一绝缘层上的第二子电极层，所述第二子电极层通过第二开口连接至第一子电极层，

其中，彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离不同于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，第一宽度大于第二宽度，并且第一距离大于第二距离。

3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，第二宽度小于10μm，并且第二距离在10μm至50μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，第一开口和第二开口中的每一个具有圆形的平面形状或多边形的平面形状。

5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，第二开口沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向排列，并且当在平面图中看时彼此最为靠近的四个第二开口的中心形成正方形。

6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，第二开口沿着第一方向或者垂直于第一方向的第二方向按照z字形排列，并且当在平面图中看时彼此最为靠近的三个第二开口的中心形成等边三角形。

7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中：

发光结构包括：

台面区，以及

蚀刻区，其具有比台面区的厚度更小的厚度，所述蚀刻区将第一半导体层暴露出来，

第一绝缘层覆盖台面区和蚀刻区，并且

第一开口穿透蚀刻区上的第一绝缘层，以暴露出第一半导体层。

8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，第一电极通过第一开口与第一半导体层直接接触。

9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其中，第一电极包括银或铝。

10.根据权利要求7所述的半导体发光装置，还包括第一半导体层上的生长衬底。

11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括连接触件，所述连接触件中的每一个穿透第二子电极层、第一开口中的每一个、第一子电极层、第二半导体层和有源层，以与第一半导体层接触，

其中，第一电极通过连接触件电连接至第一半导体层。

12.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其中：

第一电极包括第二子电极层上的导电衬底，并且

所述半导体发光装置还包括第二子电极层与导电衬底之间的第二绝缘层。

13.根据权利要求12所述的半导体发光装置，其中，将发光结构的局部区完全去除，以暴露出第一子电极层。

14.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，第一绝缘层包括氧化硅(SiO2)层。

15.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，第一绝缘层具有氧化硅层和氧化钛(TiO2)层交替重复地堆叠的结构、或者氧化硅层和氧化铌(Nb2O5)层交替重复地堆叠的结构。