[发明专利]包括具有多层结构的反射器层的半导体发光装置

说明书

一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二半导体层上的第一绝缘层，其包括具有第一宽度的多个第一开口和具有与第一宽度不同的第二宽度的多个第二开口；第一电极，其通过第一开口电连接至第一半导体层；第二半导体层与第一绝缘层之间的第一子电极层，第一子电极层通过第二开口暴露出来；以及第一绝缘层上的第二子电极层，所述第二子电极层通过第二开口连接至第一子电极层，其中，彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离不同于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。

相关申请的交叉引用

于2016年11月16日在韩国知识产权局提交的标题为“包括具有多层结构的反射器层的半导体发光装置”的韩国专利申请No.10-2016-0152800以引用方式全文并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种半导体发光装置，并且更具体地说，涉及一种包括具有多层结构的反射器层的半导体发光装置。

背景技术

例如发光二极管的半导体发光装置可为其材料发射光的装置。在半导体发光装置中，结型半导体的电子和空穴彼此复合以产生能量，并且产生的能量可转换为光。转换的光可从半导体发光装置发出。半导体发光装置广泛用于例如照明设备、显示装置和光源中，并且其发展正在加速。

具体地说，基于氮化镓(GaN)的发光二极管已商业化，例如，用于便携式电话的键盘、转向信号灯和相机闪光灯中。另外，利用发光二极管研发了通用照明设备。此外，发光二极管已用于例如大尺寸电视的背光单元和车辆大灯的大型应用产品中。

发明内容

在一个方面，一种半导体发光装置可包括：发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个第一开口以及多个第二开口,所述多个第一开口中的每一个具有第一宽度，所述多个第二开口中的每一个具有与第一宽度不同的第二宽度；第一电极，其通过第一开口电连接至第一半导体层；第一子电极层，其布置在第二半导体层与第一绝缘层之间并且通过第二开口暴露出来；以及第二子电极层，其布置在第一绝缘层上并且通过第二开口连接至第一子电极层。彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离可与彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离不同。

在一个方面，一种半导体发光装置可包括：生长衬底；发光结构，其包括按次序堆叠在生长衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述发光结构包括暴露出第一半导体层的第一区和比第一区更厚的第二区；透明电极层，其布置在第二区上并且与第二半导体层接触；第一绝缘层，其布置在第一区和第二区上，并且具有暴露出第一半导体层的第一开口和暴露出透明电极层的第二开口；反射性金属层，其与通过第一开口暴露的第一半导体层接触；以及布置在第二区上的第一绝缘层上的子电极层。所述子电极层可与通过第二开口暴露的透明电极层接触。第一开口中的每一个的第一宽度可大于第二开口中的每一个的第二宽度，并且彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离可大于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。

在一个方面，一种半导体发光装置可包括：发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二半导体层上的第一电极；第二半导体层与第一电极之间的第二电极；以及连接触件，其布置在穿透第二电极、第二半导体层和有源层以暴露出第一半导体层的第一开口中。第二电极可包括与第二半导体层接触的透明电极层、布置在透明电极层上并且包括暴露出透明电极层的多个第二开口的第一绝缘层以及布置在第一绝缘层上并且延伸至第二开口中以与透明电极层接触的反射性金属层。第一开口可按照二维方式布置，并且第二开口可按照二维方式布置。第一开口中的每一个的第一宽度可大于第二开口中的每一个的第二宽度，并且彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离可大于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。