[发明专利]半导体装置以及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在半导体基底的核心区与输入/输出区上分别形成第一堆叠结构与第二堆叠结构。第一堆叠结构包括第一图案化氧化物层、第一图案化氮化物层与第一虚置栅极。第二堆叠结构包括第二图案化氧化物层、第二图案化氮化物层与第二虚置栅极。移除第一虚置栅极与第二虚置栅极，用以于核心区上形成第一凹陷并于输入/输出区上形成第二凹陷。在第一凹陷中形成第一栅极结构，并于第二凹陷中形成第二栅极结构。在第一凹陷中形成第一栅极结构之前，将第一图案化氮化物层移除。

主权项

1.一种半导体装置的制作方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底上定义有核心区与输入/输出区；在该核心区上形成一第一堆叠结构，其中该第一堆叠结构包括：第一图案化氧化物层；第一图案化氮化物层，形成于该第一图案化氧化物层上；以及第一虚置栅极，形成于该第一图案化氮化物层上；在该输入/输出区上形成一第二堆叠结构，其中该第二堆叠结构包括：第二图案化氧化物层；第二图案化氮化物层，形成于该第二图案化氧化物层上；以及第二虚置栅极，形成于该第二图案化氮化物层上；移除该第一虚置栅极与该第二虚置栅极，用以于该核心区上形成一第一凹陷，并于该输入/输出区上形成一第二凹陷；在该第一凹陷中形成一第一栅极结构；在该第二凹陷中形成一第二栅极结构；以及在该第一凹陷中形成该第一栅极结构之前，将该第一图案化氮化物层移除。