[发明专利]半导体装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制作方法，包括：

提供一半导体基底，该半导体基底上定义有核心区与输入/输出区；

在该核心区上形成一第一堆叠结构，其中该第一堆叠结构包括：

第一图案化氧化物层；

第一图案化氮化物层，形成于该第一图案化氧化物层上；以及

第一虚置栅极，形成于该第一图案化氮化物层上；

在该输入/输出区上形成一第二堆叠结构，其中该第二堆叠结构包括：

第二图案化氧化物层；

第二图案化氮化物层，形成于该第二图案化氧化物层上；以及

第二虚置栅极，形成于该第二图案化氮化物层上；

移除该第一虚置栅极与该第二虚置栅极，用以于该核心区上形成一第一凹陷，并于该输入/输出区上形成一第二凹陷；

在该第一凹陷中形成一第一栅极结构；

在该第二凹陷中形成一第二栅极结构；

在该第一凹陷中形成该第一栅极结构之前，将该第一图案化氮化物层移除；以及

在移除该第一虚置栅极与该第二虚置栅极之前，在该第一堆叠结构的侧壁上以及该第二堆叠结构的侧壁上形成一间隙壁，其中该第一凹陷以及该第二凹陷被该间隙壁围绕，其中一氧化层经由移除该第一虚置栅极与该第二虚置栅极的步骤而形成于该间隙壁的一表面上，且该第一凹陷以及该第二凹陷被该氧化层围绕。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一图案化氧化物层以及该第二图案化氧化物层是由同一个制作工艺对一氧化物介电层进行图案化所形成。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一图案化氮化物层以及该第二图案化氮化物层是由同一个制作工艺对一氮化物介电层进行图案化所形成。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该氧化层形成于移除该第一图案化氮化物层的步骤之前。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一栅极结构包括：

第一高介电常数介电层；以及

第一金属栅极，形成于该第一高介电常数介电层上，其中该第一高介电常数介电层包括一U字形结构围绕该第一金属栅极。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中该第一图案化氧化物层直接接触该第一高介电常数介电层。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第二栅极结构包括：

第二高介电常数介电层；以及

第二金属栅极，形成于该第二高介电常数介电层上，其中该第二高介电常数介电层包括一U字形结构围绕该第二金属栅极。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制作方法，其中该第二图案化氮化物层位于该第二高介电常数介电层与该第二图案化氧化物层之间。