[发明专利]一种碳化硅器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710880833.5 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107658215A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;郭元旭;白云;邓小川;陈宏;杨成樾;汤益丹;田晓丽;王文;刁绅;徐少东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅器件制作方法，其中包括步骤一、提供N+‑SiC衬底，在N+‑SiC衬底上形成N‑‑SiC外延层，在N‑‑SiC外延层两端离子注入形成P阱；步骤二、在器件表面外延N型沟道层；步骤三、在器件两端进行离子注入，形成相邻的N+源区和P+源区；步骤四、在器件表面生长栅氧化层，在栅氧化层上方生长多晶硅层并进行刻蚀，得到栅电极；步骤五、在栅氧化层表面淀积层间介质并刻蚀层间介质以及栅氧化层，用于形成源电极与N+源区和P+源区的接触窗口；步骤六、在器件的正面和反面形成源电极和漏电极。本发明还提供一种碳化硅器件。本发明能够保证导电沟道深度，抑制注入工艺带来的接触界面粗糙，并且简化器件制备工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅器件制作方法，其特征在于，包括：步骤一、提供N+‑SiC衬底，在所述N+‑SiC衬底上形成N‑‑SiC外延层，在所述N‑‑SiC外延层两端进行离子注入形成P阱；步骤二、在所述器件表面外延N型沟道层；步骤三、在所述器件两端进行离子注入，形成相邻的N+源区和P+源区；步骤四、在所述器件表面生长栅氧化层，在所述栅氧化层上方生长多晶硅层并进行刻蚀，得到栅电极；步骤五、在所述栅氧化层表面淀积层间介质并刻蚀所述层间介质以及栅氧化层，用于形成源电极与所述N+源区和P+源区的接触窗口；步骤六、在所述器件的正面和反面形成所述源电极和漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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