“郭元旭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件-CN202310092700.7在审
发明人：李立均;林志东;彭志高;陶永洪;郭元旭;王敏 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件，涉及半导体技术领域。该器件包括若干元胞单元，该元胞单元由两个不对称但相互连接的第一元胞和第二元胞组成，第一元胞与第二元胞之间具有相互连接的第一结型场效应区和第二肖特基接触区，第一元胞的第一P阱区及第一P+区位于第一结型场效应区远离第二肖特基接触区所在一侧，第二元胞的第二P阱区和第二P+区位于第二肖特基接触区远离第一结型场效应区的一侧，其中，第一元胞和第二元胞的P阱区和P+区的排布方向一致。该集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件能够减小栅极电容，提高击穿电压，进而提高器件性能。
集成肖特基二极管碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制备方法-CN202310068076.7在审
发明人：李立均;郭元旭;王敏;周豪;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种碳化硅半导体器件及其制备方法，包括衬底、设置于衬底上的外延层，和若干元胞单元，该元胞单元由设置在外延层中的两个相互连接的第一元胞和第二元胞组成，且第一元胞的第一结型场效应区与第二元胞中的第二肖特基电场区相连，每个元胞单元通过在第一结型场效应区与第二肖特基电场区之间设置一个与第一导电类型的外延层的导电类型相反的第二导电类型的注入区，以此利用该注入区与外延层产生空间电荷耗尽区，实现对结型场效应区和肖特基电场区接触的边缘起到电场的屏蔽和保护作用，提高器件的击穿电压以及可靠性。
碳化硅半导体器件及其制备方法

[发明专利]集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN202110215037.6有效
发明人：李立均;林志东;彭志高;陶永洪;郭元旭;王敏 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件的P阱区和P+区相邻，N+区位于P阱区内，P+区与N+区相邻；欧姆接触金属位于肖特基接触金属与栅氧化层之间，栅氧化层上形成有多晶硅栅电极，多晶硅栅电极和栅氧化层的外周包覆有层间介质；层间介质、欧姆接触金属和肖特基接触金属上方覆盖有源极；栅氧化层覆盖P阱区表面，且其两侧分别覆盖N+区和N‑外延层内的JFET区的部分表面，欧姆接触金属覆盖P+区和N+区的部分表面，肖特基接触金属位于远离N+区的P+区一侧。该集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，能够减小栅极电容，提高击穿电压，进而提高器件性能。
集成肖特基二极管碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种SiC功率器件及其制造方法-CN202010846108.8有效
发明人：李立均;林科闯;郭元旭;彭志高;陶永洪 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC功率器件，包括由下至上设置的漏极、衬底和外延层，以及设于外延层上方的栅极和源极，外延层设有P‑离子注入区、P+离子注入区和N+离子注入区；其中栅极位于N+离子注入区之外的部分与外延层之间设有栅氧化层，末端位于N+离子注入区之内的部分与N+离子注入区之间设有附加介质层，且附加介质层的厚度大于栅氧化层的厚度。本发明还公开了上述结构的制作方法。本发明增加了栅极边缘与N+离子注入区之间的介质层厚度，降低了器件正向导通时位于栅极边缘与N+离子注入区之间介质层的最大电场，提高了栅源可靠性。
一种 sic 功率器件及其制造方法

[发明专利]一种SiC MOSFET结构及其制作方法-CN202011625678.0有效
发明人：陶永洪;蔡文必;彭志高;李立均;郭元旭 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET结构，其SiC MOSFET结构中包括若干元胞区、位于该些元胞区一侧的栅极区以及位于该些元胞区外围的过渡区，其中过渡区设有与元胞P+区相连并具有相同注入的过渡P+区，元胞P+区和过渡P+区上设有源极欧姆接触层，源极欧姆接触层与源极金属连接。本发明还公开了上述结构的制作方法。本发明在不额外增加器件面积的前提下不但可以增加结构中的P+区域的面积，提高SiC MOSFET的体二极管通流能力，极大减小器件在反向续流导通时的损耗，而且提高了体二极管工作时的散热面积，提升器件的散热能力。
一种 sic mosfet 结构及其制作方法

[实用新型]一种MOSFET器件结构-CN202120685491.3有效
发明人：陶永洪;蔡文必;郭元旭;彭志高;李立均 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MOSFET器件结构，其有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、N型衬底、N型外延、栅氧化层、源栅电极结构、层间介质和互联金属层，N型外延上部具有JFET区、依次分设于JFET区两侧的P阱区、N+源区和P+基区，两侧的N+源区包裹于对应P阱区内，栅极设于N型外延表面栅氧化层上且覆盖JFET区、P阱区和部份N+源区，层间介质包裹栅极且部份覆盖N+源区，源极设于N型外延表面的栅极两侧且覆盖P+基区和部分N+源区，互联金属层包裹层间介质并连接两侧的源极，其中，层间介质由第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层组成；三层层间介质结构，可以防止湿气进入和金属离子穿透扩散，从而抑制了MOSFET的阈值漂移现象，提高器件的可靠性。
一种 mosfet 器件结构

[发明专利]MOSFET器件的制备方法-CN202110554513.7在审
发明人：陶永洪;蔡文必;彭志高;郭元旭;李立均 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种MOSFET器件的制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：提供宽带隙外延层，宽带隙外延层包括宽带隙衬底和宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；在宽带隙漂移层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上形成第三掩膜层，第三掩膜层的厚度大于第一掩膜层的厚度；在第三掩膜层上形成第四掩膜层，得到第一器件结构；刻蚀第一器件结构界定出阱区注入窗口，阱区注入窗口的底部露出第一掩膜层；离子注入形成阱区。本公开的方法能提高器件的可靠性。
mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件终端结构及其制作方法-CN201710881586.0在审
发明人：刘新宇;王文;汤益丹;张有润;白云;郭元旭;徐少东;杨成樾 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构，其中包括N+‑SiC衬底；位于N+‑SiC衬底上的N‑‑SiC外延层；位于N‑‑SiC外延层上的P+型掺杂区，以及由部分P+型掺杂区刻蚀形成的刻蚀型JTE终端区域；在刻蚀型JTE终端区域上形成的场板结构；覆盖在刻蚀型JTE终端区域表面的钝化层；以及位于终端结构顶面的阳极和底面的阴极；其中，场板结构被包含在钝化层之中。本发明还提供一种碳化硅功率器件终端结构制作方法。本发明能够降低终端结构对台面刻蚀深度与钝化层界面电荷的敏感度，且工艺简单、工艺偏差容量大，能够提高器件的稳定性和可靠性。
一种碳化硅功率器件终端结构及其制作方法

[发明专利]一种碳化硅器件及其制作方法-CN201710880833.5在审
发明人：刘新宇;郭元旭;白云;邓小川;陈宏;杨成樾;汤益丹;田晓丽;王文;刁绅;徐少东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅器件制作方法，其中包括步骤一、提供N+‑SiC衬底，在N+‑SiC衬底上形成N‑‑SiC外延层，在N‑‑SiC外延层两端离子注入形成P阱；步骤二、在器件表面外延N型沟道层；步骤三、在器件两端进行离子注入，形成相邻的N+源区和P+源区；步骤四、在器件表面生长栅氧化层，在栅氧化层上方生长多晶硅层并进行刻蚀，得到栅电极；步骤五、在栅氧化层表面淀积层间介质并刻蚀层间介质以及栅氧化层，用于形成源电极与N+源区和P+源区的接触窗口；步骤六、在器件的正面和反面形成源电极和漏电极。本发明还提供一种碳化硅器件。本发明能够保证导电沟道深度，抑制注入工艺带来的接触界面粗糙，并且简化器件制备工艺流程。
一种碳化硅器件及其制作方法

1
共 9 条