[发明专利]一种半导体元件的固晶方法及半导体元件有效

专利信息
申请号: 201710823265.5 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107731758B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 陈婉君;林泉 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L23/24 分类号: H01L23/24;H01L21/603
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种半导体元件的固晶方法及半导体元件,半导体元件的固晶方法提供了具有强于半导体元件电极材料对气态污染物或颗粒状污染物吸附力的保护组件,组件组成成分包括活性炭、多孔陶瓷或者有机基团,防止在固晶过程中电极被污染,从而提升固晶良率。
搜索关键词: 一种 半导体 元件 方法
【主权项】:
1.一种半导体元件的固晶方法,半导体元件具有电极结构,在固晶区域存在悬浮污染物,其特征在于:固晶工艺中,在固晶区域提供具有强于电极材料对悬浮污染物的吸附能力的保护组件,所述保护组件离电极的距离小于300mm,保护组件由吸附性材料组成,保护组件具有减少固晶时电极吸附悬浮污染物的功能。/n
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