[发明专利]一种半导体元件的固晶方法及半导体元件

说明书

本发明公开一种半导体元件的固晶方法及半导体元件，半导体元件的固晶方法提供了具有强于半导体元件电极材料对气态污染物或颗粒状污染物吸附力的保护组件，组件组成成分包括活性炭、多孔陶瓷或者有机基团，防止在固晶过程中电极被污染，从而提升固晶良率。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件的固晶方法及半导体元件的结构，属于半导体元件固晶领域。

背景技术

随着半导体元件性能的不断挖掘，半导体元件的制作已成为近年来最受重视的领域之一。在半导体元件的制程中，Au金材料由于其质地软、性质稳定、电流扩展效果好，成为了半导体芯片电极结构中最后一层的首选，一直都是业界较常用的电极结构。但是由于Au-Au键间弱相互作用引导表面吸附一层环状高核簇族合物，导致芯粒在有机物存在的环境中，Au将提供一个媒介，让环氧硅烷类有机物在Au表面缩聚和固化，使固晶时PAD(电极)表面受到污染，从而会导致芯片在固晶环节，容易出现焊线、共金等异常，影响产品质量。

发明内容

本发明基于以上现象，提出一种利用强吸附性组件解决固晶时候包括气溶胶状态污染物或者粉尘污染物在内的悬浮污染物附着在电极上的方案。

本发明的技术方案为：提供一种半导体元件的固晶方法，半导体元件具有电极结构，在固晶区域存在悬浮污染物，在固晶工艺中，在固晶区域提供具有强于电极材料对悬浮污染物的吸附能力的保护组件。

优选地，所述固晶工艺时，采用固晶胶对半导体元件进行固定，对固晶胶进行加热。

优选地，所述加热的温度为100-200℃，在这个温度下固晶胶会产生气溶胶状态污染物。

优选地，所述悬浮污染物的成分包括对半导体元件固晶采用的固晶胶或其他悬浮污染颗粒。

优选地，所述保护组件设置在基板上。

优选地，所述半导体元件具有侧壁，所述保护组件设置在半导体元件的侧壁上。

优选地，所述保护组件离电极的距离小于300mm。

优选地，所述电极材料包括Au、Al、Ag或Ti。

优选地，所述保护组件包括活性炭、多孔陶瓷和有机基团。

优选地，所述半导体元件的切割面具有保护材料，保护材料对固晶胶胶气或其他悬浮污染颗粒的吸附能力强于电极对固晶胶胶气的吸附能力。

本发明同时提供一种半导体元件，所述半导体元件的切割面具有保护材料，保护材料对固晶胶胶气或其他悬浮污染颗粒的吸附能力强于电极对固晶胶胶气的吸附能力。

优选地，所述保护材料包括活性炭、多孔陶瓷和有机基团等吸附性材料。

优选地，所述半导体元件包括发光二极管、太阳能电池或者集成电路器件。

优选地，所述半导体元件为发光二极管时，保护组件不位于发光二极管出光面上。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1 是本发明第一个实施例涉及到的一种半导体元件结构示意图。。

图2 是本发明第二个实施例涉及到的一种半导体元件结构示意图。

图3 是本发明第三个实施例涉及到的一种半导体元件结构示意图。