[发明专利]一种半导体元件的固晶方法及半导体元件有效
| 申请号： | 201710823265.5 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107731758B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈婉君;林泉 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/24 | 分类号： | H01L23/24;H01L21/603 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 方法 | ||
1.一种半导体元件的固晶方法，半导体元件具有电极结构，在固晶区域存在悬浮污染物，其特征在于：固晶工艺中，在固晶区域提供具有强于电极材料对悬浮污染物的吸附能力的保护组件，所述保护组件离电极的距离小于300mm，保护组件由吸附性材料组成，保护组件具有减少固晶时电极吸附悬浮污染物的功能。
2.根据权利要求1所述的一种半导体元件的固晶方法，其特征在于：所述固晶工艺时，采用固晶胶对半导体元件进行固定，对固晶胶进行加热。
3.根据权利要求2所述的一种半导体元件的固晶方法，其特征在于：所述加热的温度为100-200℃。
4.根据权利要求1所述的一种半导体元件的固晶方法，其特征在于：所述悬浮污染物的成分包括对半导体元件固晶采用的固晶胶或粉尘。
5.根据权利要求1所述的一种半导体元件的固晶方法，其特征在于：半导体元件具有封装基板，所述保护组件设置在封装基板上。
6.根据权利要求1所述的一种半导体元件的固晶方法，其特征在于：半导体元件具有侧壁，所述保护组件设置在半导体元件的侧壁上。
7.根据权利要求1所述的一种半导体元件的固晶方法，其特征在于：所述电极材料包括Au、Al、Ag或Ti。
8.根据权利要求1所述的一种半导体元件的固晶方法，其特征在于：所述保护组件包括活性炭、多孔陶瓷和有机基团。
9.根据权利要求1所述的一种半导体元件的固晶方法，其特征在于：所述半导体元件包括发光二极管、太阳能电池或者集成电路器件。
10.一种半导体元件，具有电极结构，其特征在于：所述半导体元件具有保护组件，所述保护组件采用吸附性材料，所述保护组件对固晶胶胶气的吸附能力强于电极对固晶胶胶气的吸附能力，所述保护组件由吸附性材料组成，保护组件具有减少固晶时电极吸附胶气的功能。
11.根据权利要求10所述的一种半导体元件，其特征在于：所述保护组件包括活性炭、多孔陶瓷和有机基团。
12.根据权利要求10所述的一种半导体元件，其特征在于：所述半导体元件包括发光二极管、太阳能电池或者集成电路器件。
13.根据权利要求12所述的一种半导体元件，其特征在于：所述半导体元件为发光二极管时，保护组件不位于发光二极管出光面上。
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