[发明专利]半导体元件以及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件以及其制作方法。该半导体元件的制作方法，包含在一基底上形成第一掩模图案，其沿着第二方向延伸并沿着第一方向间隔排列，且裸露出部分的第一绝缘层、移除第一绝缘层裸露的部分，以于第一绝缘层内形成多个凹槽、对该些凹槽表面进行一表面处理制作工艺、在该多个凹槽中填满第二绝缘层，且裸露出部分的该第一绝缘层、移除第一绝缘层裸露的部分，以于基底上形成一网目型隔离结构、以及在网目型隔离结构的开口中形成存储电极接触插塞。

主权项

1.一种半导体元件的制作方法，包含：提供一基底，该基底上界定有至少一存储区域，该基底上还具有第一绝缘层，该存储区域内的该第一绝缘层内具有多条位线结构，该多条位线结构沿着第一方向延伸并沿着第二方向间隔排列，该第一方向与该第二方向彼此垂直；在该基底上形成第一掩模图案，该第一掩模图案沿着该第二方向延伸并沿着该第一方向间隔排列，且裸露出部分的该第一绝缘层；在形成该第一掩模图案后，移除该第一绝缘层裸露的部分，以于该第一绝缘层内形成多个凹槽；对该些凹槽表面进行一表面处理制作工艺；在该表面处理制作工艺后，在该多个凹槽中填满第二绝缘层，且裸露出部分的该第一绝缘层，该第二绝缘层的材料与该第一绝缘层的材料不同；在填满该第二绝缘层后，移除该第一绝缘层裸露的部分，以于该基底上形成一网目型隔离结构，该网目型隔离结构界定出多个开口；以及在该多个开口中分别形成一存储电极接触插塞。