[发明专利]半导体元件以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制作方法，包含：

提供一基底，该基底上界定有至少一存储区域，该基底上还具有第一绝缘层，该存储区域内的该第一绝缘层内具有多条位线结构，该多条位线结构沿着第一方向延伸并沿着第二方向间隔排列，该第一方向与该第二方向彼此垂直；

在该基底上形成第一掩模图案，该第一掩模图案沿着该第二方向延伸并沿着该第一方向间隔排列，且裸露出部分的该第一绝缘层；

在形成该第一掩模图案后，移除该第一绝缘层裸露的部分，以于该第一绝缘层内形成多个凹槽；

对该些凹槽表面进行一表面处理制作工艺；

在该表面处理制作工艺后，在该多个凹槽中填满第二绝缘层，且裸露出部分的该第一绝缘层，该第二绝缘层的材料与该第一绝缘层的材料不同；

在填满该第二绝缘层后，移除该第一绝缘层裸露的部分，以于该基底上形成一网目型隔离结构，该网目型隔离结构界定出多个开口；以及

在该多个开口中分别形成一存储电极接触插塞。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该表面处理制作工艺包含低氧/无氧灰化制作工艺、稀释氢氟酸清洗制作工艺、软性蚀刻清洗制作工艺、或是表面氮化制作工艺。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，还包含在该多个凹槽中填满该第二绝缘层后进行一蚀刻制作工艺移除部分的该第二绝缘层，以裸露出部分的该第一绝缘层。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该网目型隔离结构是由该第二绝缘层与该位线结构所构成的。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该多个开口与该基底中的多条字符线结构重叠。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该第一绝缘层为氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该第二绝缘层为氮化硅或是碳氮化硅。

8.如权利要求7所述的半导体元件的制作方法，其中该第二绝缘层为掺杂硼的碳氮化硅。

9.一种半导体元件的制作方法，包含：

提供一基底，该基底上界定有至少一存储区域，该基底上还形成有第一绝缘层，该存储区域内的该第一绝缘层内具有多条位线结构，该多条位线结构沿着第一方向延伸并沿着第二方向间隔排列，该第一方向与该第二方向彼此垂直，该存储区域的该基底中还具有多条字符线结构沿着该第二方向延伸并沿着该第一方向间隔排列，且每一条该字符线结构包含一顶盖层；

在该基底上形成第一掩模图案，该第一掩模图案沿着该第二方向延伸并沿着该第一方向间隔排列，且裸露出部分的该第一绝缘层；

在形成该第一掩模图案后，以该第一掩模图案为蚀刻掩模进行一第一蚀刻制作工艺移除该第一绝缘层裸露的部分，以于该第一绝缘层内形成多个凹槽，该第一蚀刻制作工艺同时移除部分的该字符线结构的该顶盖层，使得该多个凹槽延伸至该顶盖层中；

在该多个凹槽中填满第二绝缘层，该第二绝缘层延伸至该顶盖层中，且裸露出部分的该第一绝缘层，该第二绝缘层的材料与该第一绝缘层的材料不同；

在填满该第二绝缘层后，移除该第一绝缘层裸露的部分，以于该基底上形成一网目型隔离结构，该网目型隔离结构延伸至该顶盖层中且界定出多个开口；以及

在该多个开口内分别形成一存储电极接触插塞。

10.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，还包含在该多个凹槽中填满该第二绝缘层后进行一第二蚀刻制作工艺移除部分的该第二绝缘层，以裸露出部分的该第一绝缘层。

11.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，其中该第一绝缘层为氧化硅。

12.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，其中该第二绝缘层为氮化硅或是碳氮化硅。