[发明专利]半导体芯片的封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201710791314.1 申请日: 2017-09-05
公开(公告)号: CN107369664A 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种半导体芯片的封装结构及封装方法,所述封装结构包括半导体芯片,所述半导体芯片表面具有电极;保护层,形成于所述半导体芯片表面,所述保护层对应所述电极具有电极开孔;封装材料,包围所述半导体芯片及所述保护层;重新布线层,形成于所述封装材料及半导体芯片上,所述重新布线层通过所述保护层的电极开孔与所述半导体芯片的电极连接;以及金属凸块,制作于所述重新布线层上。本发明预先在半导体芯片的晶圆上制作保护层,并制作电极开孔,在晶圆上的半导体芯片位置容易定位,可以使得电极开孔的位置与半导体芯片的电极精确对准,大大降低了电极接触偏移的可能性,提高了器件的稳定性,可以满足器件不断微缩的趋势。
搜索关键词: 半导体 芯片 封装 结构 方法
【主权项】:
一种半导体芯片的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:半导体芯片,所述半导体芯片表面具有电极;保护层,形成于所述半导体芯片表面,所述保护层对应所述电极具有电极开孔;封装材料,包围所述半导体芯片及所述保护层;重新布线层,形成于所述封装材料及半导体芯片上,所述重新布线层通过所述保护层的电极开孔与所述半导体芯片的电极连接;以及金属凸块,制作于所述重新布线层上。
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