[发明专利]半导体衬底及半导体封装装置,以及用于形成半导体衬底的方法有效

专利信息
申请号: 201710628449.6 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN108538801B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 蔡丽娟;李志成 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 萧辅宽
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 半导体衬底包含第一介电层、安置于所述第一介电层中的第一图案化导电层、安置于所述第一介电层上的第二介电层及安置于所述第二介电层中的第一凸块垫。所述第一凸块垫电连接到所述第一图案化导电层,并且所述第一凸块垫具有所述第二介电层围绕的弯曲表面。
搜索关键词: 半导体 衬底 封装 装置 以及 用于 形成 方法
【主权项】:
1.一种半导体衬底,其包括:第一介电层;第一图案化导电层,其安置于所述第一介电层中;第二介电层,其安置于所述第一介电层上;及第一凸块垫,其安置于所述第二介电层中,所述第一凸块垫电连接到所述第一图案化导电层,并且所述第一凸块垫具有所述第二介电层围绕的弯曲表面。
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