[发明专利]半导体衬底及半导体封装装置，以及用于形成半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种半导体衬底，其包括：

第一介电层；

第一图案化导电层，其安置于所述第一介电层中；及

第一凸块垫，其安置于所述第一介电层上，其中所述第一图案化导电层及第一凸块垫经配置为一体成形的组件；及

第二介电层，其安置于所述第一介电层上，其中所述第一凸块垫安置于所述第二介电层中，所述第一凸块垫在所述第一凸块垫的顶部表面处具有第一宽度并且在所述第二介电层围绕的部分处具有第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一图案化导电层及第一凸块垫通过单个电镀工艺一体成形。

3.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一凸块垫具有所述第二介电层围绕的弯曲表面。

4.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一图案化导电层具有第一宽度，所述第一凸块垫具有第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第二介电层具有顶部表面，所述第一凸块垫的所述顶部表面从所述第二介电层暴露，并且所述第一凸块垫的所述顶部表面不从所述第二介电层的所述顶部表面伸出。

6.根据权利要求5所述的半导体衬底，其中所述第一凸块垫的所述顶部表面从所述第二介电层的所述顶部表面凹入。

7.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第二介电层包括光敏介电材料。

8.根据权利要求3所述的半导体衬底，其进一步包括：

第一晶种层，其安置于所述第一凸块垫的所述弯曲表面上。

9.根据权利要求8所述的半导体衬底，其进一步包括：

第二晶种层，其安置于所述第一图案化导电层的侧表面上。

10.根据权利要求1所述的半导体衬底，其进一步包括：

第二图案化导电层，其安置于所述第一介电层中；

第二凸块垫，其安置于所述第二介电层中，所述第二凸块垫电连接到所述第二图案化导电层，所述第二凸块垫具有所述第二介电层围绕的弯曲表面；

第三图案化导电层，其安置于所述第一介电层中；及

第四图案化导电层，其安置于所述第一介电层中；

其中所述第三图案化导电层及所述第四图案化导电层安置于所述第一图案化导电层与所述第二图案化导电层之间，并且所述第一凸块垫与所述第二凸块垫之间的宽度小于60um。

11.根据权利要求10所述的半导体衬底，其进一步包括：

第一晶种层，其安置于所述第一图案化导电层的侧表面上及所述第二图案化导电层的侧表面上。

12.根据权利要求11所述的半导体衬底，其中所述第一晶种层具一底表面与所述第一图案化导电层的底表面共面。

13.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一凸块垫从所述第二介电层的一顶部表面凹入。

14.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一凸块垫接触所述第一介电层的所述顶部表面。

15.根据权利要求1所述的半导体衬底，更包括：

焊接材料，与所述第一凸块垫的侧表面隔开。