[发明专利]半导体结构及其操作方法有效
| 申请号： | 201710367366.6 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108933120B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈永初 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括第一防护环与第二防护环。第一防护环位于基底中。第一防护环包括交替排列的多个第一掺杂区与多个第二掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区互为不同导电型。第二防护环位于第一防护环旁。第二防护环包括交替排列的多个第三掺杂区与多个第四掺杂区以及多个掩模层。各第三掺杂区对应于各第二掺杂区。各第四掺杂区对应于各第一掺杂区。第三掺杂区与第一掺杂区为相同导电型且交错配置。掩模层分别配置于第三掺杂区与第四掺杂区之间的基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一第一防护环，位于一基底中，该第一防护环包括交替排列的多个第一掺杂区与多个第二掺杂区，其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区互为不同导电型；以及一第二防护环，位于该第一防护环旁，该第二防护环包括：交替排列的多个第三掺杂区与多个第四掺杂区，各所述第三掺杂区对应于各所述第二掺杂区，各所述第四掺杂区对应于各所述第一掺杂区，其中所述第三掺杂区与所述第一掺杂区为相同导电型且交错配置；以及多个第一掩模层，分别配置于所述第三掺杂区与所述第四掺杂区之间的该基底上。
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