[发明专利]半导体结构及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一防护环，位于一基底中，该第一防护环包括交替排列的多个第一掺杂区与多个第二掺杂区，其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区互为不同导电型；以及

一第二防护环，位于该第一防护环旁，该第二防护环包括：

交替排列的多个第三掺杂区与多个第四掺杂区，各所述第三掺杂区对应于各所述第二掺杂区，各所述第四掺杂区对应于各所述第一掺杂区，其中所述第三掺杂区与所述第一掺杂区为相同导电型且交错配置；以及

多个第一掩模层，分别配置于所述第三掺杂区与所述第四掺杂区之间的该基底上。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一防护环还包括具有一P型导电型的一第一阱区，具有该P型导电型的所述第一掺杂区与具有一N型导电型的所述第二掺杂区位于该第一阱区中。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第二防护环还包括具有该N型导电型的一第二阱区，具有该P型导电型的所述第三掺杂区与具有该N型导电型的所述第四掺杂区位于该第二阱区中。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中各所述第二掺杂区包括两个子第二掺杂区，所述两个子第二掺杂区互为不同导电型，靠近所述第三掺杂区的所述两个子第二掺杂区之一为N型导电型。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其中各所述第一掺杂区包括两个子第一掺杂区，所述两个子第一掺杂区互为不同导电型，靠近所述第四掺杂区的所述两个子第二掺杂区之一为P型导电型。

6.如权利要求3所述的半导体结构，其中各所述第二掺杂区包括两个子第二掺杂区，所述两个子第二掺杂区互为不同导电型，靠近该第二防护环的所述两个子第二掺杂区之一为P型导电型，

各所述第一掺杂区包括两个子第一掺杂区，所述两个子第一掺杂区互为不同导电型，靠近该第二防护环的所述两个子第二掺杂区之一为N型导电型。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中各所述第三掺杂区包括两个子第三掺杂区，所述两个子第三掺杂区互为不同导电型，靠近该第一防护环的所述两个子第三掺杂区之一为N型导电型，

其中各所述第四掺杂区包括两个子第四掺杂区，所述两个子第四掺杂区互为不同导电型，靠近该第一防护环的所述两个子第四掺杂区之一为P型导电型。

8.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一半导体元件配置于该第一防护环旁，使得该第一防护环位于该半导体元件与该第二防护环之间，其中该半导体元件包括一栅极结构与位于该栅极结构两侧的一源极与一漏极，该半导体元件的该漏极电性连接至该第二防护环。

9.如权利要求1所述的半导体结构的操作方法，包括：

将一静电放电保护元件的一端通过一半导体元件耦接至一焊垫，并将该静电放电保护元件的另一端耦接至一接地端，其中该静电放电保护元件包括相互并联的一第一防护环、一第二防护环以及一第三防护环；以及

当该焊垫出现一静电信号时，该静电信号经由该第一防护环、该第二防护环以及该第三防护环导通至该接地端，以及

具有一第七掺杂区位于该第一防护环与该第二防护环之间，并将该第七掺杂区电性浮置，以降低该静电放电保护元件的触发电压。