[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710133212.0 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107195589B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 岩政直树 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够使焊垫的腐蚀减少而进一步提升半导体芯片与金属线的配置的自由度的半导体装置。实施方式的半导体装置具备衬底、第1半导体芯片、金属线、粘接部、及第2半导体芯片。第1半导体芯片设置在所述衬底上。金属线将所述衬底上的配线与所述第1半导体芯片上的连接电极连接。粘接部具有设置在所述第1半导体芯片的上方的矩形状的第1粘接层、及位于所述第1粘接层的四个角的下部的柱状的第2粘接层，且所述金属线距所述连接电极的最大高度小于所述连接电极与所述第1粘接层的间隔，所述第2粘接层在矩形状的所述第1粘接层中的2对对边中至少1对对边的各自的下部具有开口部。第2半导体芯片设置在所述粘接部上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；第1半导体芯片，设置在所述衬底上；金属线，将所述衬底上的配线与所述第1半导体芯片上的连接电极连接；粘接部，具有设置在所述第1半导体芯片的上方的矩形状的第1粘接层、及位于所述第1粘接层的四个角的下部的柱状的第2粘接层，且所述金属线距所述连接电极的最大高度小于所述连接电极与所述第1粘接层的间隔，所述第2粘接层在矩形状的所述第1粘接层中的2对对边中至少1对对边的各自的下部具有开口部；及第2半导体芯片，设置在所述粘接部上。
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