[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710133212.0 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107195589B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 岩政直树 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于具备：
衬底，具有连接端子；
第1半导体芯片，设置在所述衬底上；
金属线，将所述连接端子与所述第1半导体芯片上的连接电极连接；
粘接部，通过利用刀片加工将膜状的粘接剂在必要的部位薄膜化而形成，或通过对膜状的绝缘材料的粘接剂实施冲压处理而形成；
第2半导体芯片，设置在所述粘接部上；及
模具材，将包含所述粘接部与所述第1半导体芯片之间的区域密封；且
所述粘接部具有设置在所述第1半导体芯片的上方的矩形状的绝缘材料的粘接剂的第1粘接层、及位于所述第1粘接层的四个角的下部的柱状的绝缘材料的粘接剂的第2粘接层，且所述金属线距所述连接电极的最大高度小于所述连接电极与所述第1粘接层的间隔，所述第2粘接层在矩形状的所述第1粘接层中的2对对边中至少1对对边的各自的下部具有开口部；
在所述粘接部中的所述第2粘接层的一部分与所述金属线及所述连接端子接触，而与所述连接电极不接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述粘接部是在所述粘接部中的矩形状的所述第1粘接层的2对对边的各自的下部具有所述开口部。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：位于所述第1粘接层中的2对对边中一对对边的各自的下部的所述开口部的宽度比位于所述第1粘接层中的2对对边中另一对对边的各自的下部的所述开口部的宽度大。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述粘接部是在所述第1粘接层中的2对对边中一对对边的各自的下部具有所述开口部，且在所述第1粘接层中的2对对边中另一对对边的各自的下部不具有所述开口部。
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