[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

提供一种器件、结构和方法，由此使用插入层为周围介电层提供附加支撑。插入层可应用于两个介电层之间。一旦成型，沟槽和通孔形成在复合层内，并且插入层将有助于提供支撑，这将限制或者消除可能妨碍随后的工艺步骤(例如使用导电材料填充所述沟槽和通孔)的不期望的弯曲或其它结构性运动。本发明实施例还提供一种用于制造半导体结构的方法和一种半导体结构。

主权项

一种用于制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方沉积第一介电层；在所述第一介电层上形成第二介电层，所述第二介电层具有大于所述第一介电层的硬度和大于所述第一介电层的K值；在所述第二介电层上方沉积第三介电层，所述第三介电层具有小于所述第二介电层的硬度和小于所述第二介电层的K值；蚀刻所述第三介电层、所述第二介电层和所述第一介电层以形成暴露所述衬底上方的第一区域的第一开口，所述第一开口具有第一宽度的通孔开口和第二宽度的沟槽开口，所述沟槽开口与所述通孔开口重叠，所述第二宽度大于所述第一宽度，所述沟槽开口的底部表面与所述第二介电层的表面被所述第一介电层的第一部分或所述第三介电层的第一部分分离开；以及使用导电材料填充所述第一开口以形成接触所述衬底上方的所述第一区域的第一导电互连件，所述第一导电互连件包括位于所述通孔开口中的通孔部分和位于所述沟槽开口中的沟槽部分。