[发明专利]具有断裂探测的半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201710073796.7 申请日: 2017-02-10
公开(公告)号: CN107068654B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: D.哈默施密特;F.拉斯博尼希;W.沙伊本朱伯;H-J.瓦格纳;T.策特勒 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58;G01R31/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;杜荔南
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及具有断裂探测的半导体芯片。半导体芯片(100)包括:衬底(101)、集成电路(102)、衬底(101)的凹部(110)、印制导线(121)、以及在凹部(110)和印制导线(121)之间的交叉部(111)。这样能够实现试验信号的探测,该试验信号被馈送到印制导线(121)中。在不同的示例中可以探测衬底(101)在凹部(110)的区域中的断裂。
搜索关键词: 具有 断裂 探测 半导体 芯片
【主权项】:
一种半导体芯片(100),其包括:‑衬底(101),‑布置在衬底(101)上的集成电路(102),‑衬底(101)的凹部(110),‑印制导线(121、121‑1、121‑2、121‑3),‑在衬底(101)的凹部(110)和印制导线(121、121‑1、121‑2、121‑3)之间的交叉部(111),‑输入接口(123),其被设立用于能够实现将试验信号(401)在印制导线(121、121‑1、121‑2、121‑3)的第一端部处馈送到印制导线(121、121‑1、121‑2、121‑3)中,和‑输出接口(122),其在印制导线(121、121‑1、121‑2、121‑3)的第二端部处与所述印制导线(121、121‑1、121‑2、121‑3)耦合,所述第二端部与印制导线(121、121‑1、121‑2、121‑3)的第一端部相对置,并且所述输出接口被设立用于能够实现在印制导线(121、121‑1、121‑2、121‑3)的第二端部处的试验信号(401)的探测。
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