[发明专利]半导体封装件有效
| 申请号： | 201710028178.0 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106971993B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 金志澈;金载春;柳翰成;赵京淳;赵暎相;尹汝勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，位于再分布基底上，互连基底包括穿透其内部的孔；半导体芯片，位于再分布基底上且位于互连基底的孔中；金属层，位于半导体芯片上；以及模制层，位于半导体芯片和互连基底之间的间隙中，其中，互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件，其中，互连基底的顶表面定位在比金属层的顶表面的水平低的水平。
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