[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

再分布基底；

互连基底，位于再分布基底上，互连基底包括穿透其内部的孔；

半导体芯片，位于再分布基底上且位于互连基底的孔中；

金属层，位于半导体芯片上；以及

模制层，位于半导体芯片和互连基底之间的间隙中，

其中，互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件，

其中，互连基底的顶表面定位在比金属层的顶表面的水平低的水平，

其中，模制层覆盖互连基底的顶表面和金属层的顶表面，

其中，金属层具有与半导体芯片的宽度和平面形状基本相同的宽度和平面形状，

其中，导电构件包括：下焊盘，位于互连基底的底表面上；线图案，位于基础层之间；过孔，穿透基础层；以及上焊盘，位于基础层的顶表面上，上焊盘通过过孔和线图案连接到下焊盘，并且

其中，上焊盘在与互连基底的底表面垂直的方向上不与下焊盘对齐。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括位于半导体芯片和金属层之间的粘合层，

其中，粘合层包括热固性聚合物或热塑性聚合物。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，再分布基底包括绝缘图案和位于绝缘图案之间的导电图案，

其中，金属层和导电图案具有比半导体芯片的热膨胀系数大的热膨胀系数。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，金属层具有比半导体芯片的热导率大的热导率。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括位于互连基底和金属层上的上封装件，

其中，上封装件电连接到导电构件。

6.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

基底；

半导体芯片，位于基底上；

第一金属层，位于半导体芯片上；

互连基底，与半导体芯片并排设置在基底上，并且在平面图中围绕半导体芯片；以及

模制层，位于半导体芯片和互连基底之间的间隙中，

其中，互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件，

其中，导电构件包括：下焊盘，位于互连基底的底表面上；线图案，位于基础层之间；过孔，穿透基础层；以及上焊盘，位于基础层的顶表面上，上焊盘通过过孔和线图案连接到下焊盘，并且

其中，上焊盘在与互连基底的底表面垂直的方向上不与下焊盘对齐。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，

互连基底包括穿透其内部的孔，

半导体芯片设置在互连基底的孔中。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，半导体芯片在所述孔中设置为多个。

9.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，下焊盘包括下接地焊盘和下信号焊盘，线图案包括接地线图案和信号线图案，过孔包括接地过孔和信号过孔，上焊盘包括上接地焊盘和上信号焊盘，

其中，下接地焊盘、接地线图案、接地过孔和上接地焊盘包括在接地图案中，下信号焊盘、信号线图案、信号过孔和上信号焊盘包括在信号图案中，

其中，第一金属层延伸到接地图案上并且连接到接地图案，

其中，第一金属层与信号图案绝缘。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括设置在半导体芯片上并且与第一金属层分隔开的第二金属层，

其中，第二金属层延伸到信号图案上并且连接到信号图案，

其中，第二金属层与接地图案绝缘。

11.根据权利要求6所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括位于互连基底和半导体芯片上的中间层，

其中，第一金属层设置在中间层中。