[发明专利]半导体封装件

说明书

提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。

本专利申请要求于2016年1月14日提交的第62/278,523号美国临时专利申请的权益以及于2016年5月16日提交的韩国专利申请10-2016-0059712的优先权，该美国临时专利申请和韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

下面描述的在此所述主题的示例性实施例涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种包括再分布基底的半导体封装件。

背景技术

提供半导体封装件以实现适合在电子设备中使用的集成电路芯片。典型地，在半导体封装件中，在印刷电路板(PCB)上安装半导体芯片，使用接合线或凸块将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着需要更大集成度的电子产品的出现，导致安装在印刷电路板上的半导体芯片的更大密度，对于半导体芯片和印刷电路板的高性能、高速度和紧凑尺寸已经有相应的越来越多的需求。因此，半导体封装件具有与其所需的紧凑尺寸伴随的翘曲问题。

发明内容

下面公开的示例性实施例提供一种能够防止翘曲的半导体封装件。

下面描述的示例性实施例提供一种具有紧凑尺寸的半导体封装件。

根据示例性实施例，半导体封装件可以包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上，互连基底包括穿透其内部的孔；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底可以包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面可以定位在比金属层的顶表面的水平低的水平。

互连基底可以在所有侧面上围绕半导体芯片，模制层可以在所有侧面上围绕半导体芯片并且在半导体芯片的顶表面上方延伸。模制层可以由诸如环氧树脂等的连续的均质材料形成。

根据示例性实施例，半导体封装件可以包括：基底；半导体芯片，在基底上；第一金属层，在半导体芯片上；互连基底，与半导体芯片并排设置在基底上，在平面图中围绕半导体芯片；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底可以包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。

根据示例性实施例，半导体封装件可以包括：再分布基底；互连基底，位于再分布基底上，互连基底包括穿透其内部的孔；半导体芯片，位于再分布基底上且位于互连基底的孔中；金属层，位于半导体芯片上；模制层，位于半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在与金属层的顶表面平齐或者比金属层的顶表面的水平高的水平。

附图说明

图1A是示出根据示例性实施例的制造半导体封装件的方法的平面图。

图1B是示出根据示例性实施例的第一封装件的平面图。

图2A至图2F是示出根据示例性实施例的制造半导体封装件的方法的剖视图。

图2G是示出根据示例性实施例的半导体封装件的剖视图。

图3A是用来解释根据示例性实施例的制造金属层的方法的平面图。

图3B至图3D是示出制造金属层的方法的与沿图3A的线III-III′截取的剖视图对应的剖视图。

图4A是示出根据示例性实施例的第一封装件的平面图。

图4B和图4C是示出根据示例性实施例的制造第一封装件的方法的与沿图4A的线IV-IV′截取的剖视图对应的剖视图。

图5A是示出根据示例性实施例的第一封装件的剖视图。