[实用新型]半导体功率器件封装结构有效
| 申请号： | 201620822002.3 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN205944072U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吴海平;向春梅;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/28;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙)11447 | 代理人： | 王晓霞,南毅宁 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体功率器件封装结构。该封装结构包括基板，基板的上表面形成有相互隔开的芯片区域和引线区域；金属层，包括形成于芯片区域上的第一金属层和形成于引线区域上的第二金属层；焊接层，形成于第一金属层之上；功率芯片，通过焊接层焊接在第一金属层上；连线，功率芯片通过连线与第二金属层电连接；密封层，包绕功率芯片和连线以形成封装结构。该半导体功率器件封装结构制作工艺简单，成本低廉，可以实现多个功率芯片的组合，甚至与系统电路中的其他元器件集成与同一块绝缘基板上，形成完全集成的电路板，以满足不同的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件封装结构，其特征在于，该封装结构包括：基板(201)，所述基板(201)的上表面形成有相互隔开的芯片区域和引线区域；金属层(202)，包括形成于所述芯片区域上的第一金属层(202a)和形成于所述引线区域上的第二金属层(202b)；焊接层(203)，形成于所述第一金属层(202a)之上；功率芯片(204)，通过所述焊接层(203)焊接在所述第一金属层(202a)上；连线(205)，所述功率芯片(204)通过所述连线(205)与所述第二金属层(202b)电连接；密封层(206)，所述密封层(206)包绕所述功率芯片(204)和连线(205)以形成封装结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620822002.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：提升散热性能的整流桥器件
