[发明专利]动态随机存取存储器的位线栅极结构及形成方法

摘要

本发明公开一种形成动态随机存取存储器的位线栅极结构及形成方法，该形成方法包含有形成一硬掩模层于一金属堆叠结构上，其中硬掩模层是以一化学气相沉积制作工艺形成，且化学气相沉积制作工艺先通入氮气再通入氨气。另外，本发明更提供一种以此方法形成的动态随机存取存储器的位线栅极结构，包含有一金属堆叠结构以及一硬掩模。金属堆叠结构由下至上包含一多晶硅层、一钛层、一氮化钛层、一第一氮化钨层、一钨层以及一第二氮化钨层。硬掩模设置于金属堆叠结构上。

主权项

1.一种形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，包含有：形成一硬掩模层于一金属堆叠结构上，其中该硬掩模层是以一化学气相沉积制作工艺形成，且该化学气相沉积制作工艺先通入氮气再通入氨气。