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[发明专利]一种大规模结构健康监测方法及系统-CN202310923801.4在审
发明人：蔡长青;华东俊;高梦恬;江美静;李怡;梁增贤;吴佳臻;余晓雯;李丹虹 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F18/2433 文献下载
摘要：本说明书实施例提供了一种大规模结构健康监测方法及系统，其中，方法包括：获取部署在大规模结构中的传感器的相关数据，将所述相关数据输入时间相关的网格环境；所述传感器相关数据包括传感器监测数据和传感器物理位置信息；以所述时间相关的网格环境作为输入，通过时空复合自动编码器网络SCAN提取损伤敏感特征向量，通过两个输出序列，分别检测和定位损伤；根据两个损伤指标函数分别对两个输出序列进行判别测试，并根据预设阈值分别对每个输出序列的测试结果进行检验，确定损伤位置。本发明能够提高损伤检测和定位的准确率。
一种大规模结构健康监测方法系统

[发明专利]用于像素级裂缝分割的多尺度三注意网络构建方法及装置-CN202310792596.2在审
发明人：蔡长青;高梦恬;徐昊雯;梁增贤;吴佳臻;余晓雯;李丹虹;梁懋林;卢思雅 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06V10/40 文献下载
摘要：本说明书实施例提供了一种用于像素级裂缝分割的多尺度三注意网络构建方法及装置，其中，方法包括：采用ResNet18网络作为基础网构建骨干网；在所述骨干网中嵌入多尺度输入策略，通过所述多尺度输入策略检测特征信息得到多尺度特征图；对不同分辨率的多尺度特征图进行融合，得到融合后的多尺度特征图；基于融合后的多尺度特征图通过AAF块使用指导底层特征映射的特征学习，得到增强的多尺度特征图；基于所述增强的多尺度特征图，通过TA块检测注意特征得到聚合注意力特征图，通过MSTA‑Net的损失函数，基于裂纹缺陷数据集，根据所述聚合注意力特征图指导端到端的像素裂纹检测网络即多尺度三注意网络的训练。
用于像素裂缝分割尺度注意网络构建方法装置

[发明专利]多通道干涉图高程重建的方法、系统及装置-CN202310849557.1在审
发明人：蔡长青;高梦恬;徐昊雯;梁增贤;吴佳臻;余晓雯;李丹虹;梁懋林;卢思雅 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01S13/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双流网络的多通道干涉图高程重建的方法，包括：S1、构建由高程重建流和边界检测流组成的双流网络；S2、构建具有不同地形特征的数据集，定义最优损失函数并训练双流网络；S3、将多通道干涉图输入训练好的双流网络，建立多通道干涉图和高程图以及边界图之间双映射关系，完成多通道干涉图高程重建。本发明可以实现基于双流网络的多通道干涉图高程重建。
通道干涉高程重建方法系统装置

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810341859.7有效
发明人：蔡志杰;陈意维;陈品宏;刘志建;陈姿洁;邱钧杰;郑存闵;张凯钧;吴佳臻;黄怡安 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，主要先形成一硅层于一基底上，然后形成一第一金属氮化硅层于硅层上，进行一氧气处理制作工艺以形成一氧化层于第一金属氮化硅层上，形成一第二金属氮化硅层于氧化层上，形成一导电层于第二氮化硅层上，再图案化该导电层、该第二金属氮化硅层、该氧化层、该第一金属氮化硅层以及该硅层以形成一栅极结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种从石煤钒矿提取高纯五氧化二钒的工艺-CN202111545472.1在审
发明人：李求阳;谢晓雷;吴佳臻;陈小娟;姜德强;廖挺;林书荣 -专利权人：浙江鑫旺钒业控股有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C22B34/22 文献下载
摘要：本发明提供一种从石煤钒矿提取高纯五氧化二钒的工艺。所述从石煤钒矿提取高纯五氧化二钒的工艺，包括以下操作步骤：S1、先将石煤矿破碎制粉，制粉过程中加入添加剂，并对矿粉进行筛分，制得石煤矿粉。本发明提供一种从石煤钒矿提取高纯五氧化二钒的工艺，通过运用浓硫酸与水的发热作用，使矿石中的钒得到浸出，代替传统的回转窑方式，在该过程中未使用煤炭作为能源动力，进而减少了碳排放和能源消耗，具备节能环保效果，同时离子交换中采用二级吸附，使得吸附率高达98％，大大提高了吸附率，另外整个工艺过程没有固废产生，所有矿渣全部用于制做加气混凝土砌块，大大提升了废料的回收率。
一种石煤提取高纯氧化工艺

[发明专利]一种制作动态随机存储器的埋入式字符线的方法-CN201711079388.9有效
发明人：张凯钧;陈意维;郑存闵;吴佳臻;陈品宏;蔡志杰;陈姿洁;黄怡安 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种制作动态随机存储器的埋入式字符线的方法，其主要先形成一凹槽于基底内，然后形成一阻障层于凹槽内，进行一浸入式(soak)制作工艺，由此降低阻障层内的氯浓度，之后再形成一导电层并填满凹槽。
一种制作动态随机存储器埋入字符方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201710549860.4有效
发明人：陈姿洁;陈品宏;蔡志杰;吴佳臻;黄怡安;张凯钧;郑存闵;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储装置，其包含基底、多个栅极，多个插塞、电容结构以及导电盖层。多个栅极是位于基底内，而多个插塞则是设置在基底上，且多个插塞分别电连接多个栅极两侧的基底。电容结构则是设置在基底上，且电容结构包含多个电容，各电容分别电连接多个插塞。而导电盖层则覆盖在电容结构的顶表面与侧壁上。此外，半导体存储装置还设置有粘着层与绝缘层，粘着层是覆盖在导电盖层与电容结构之上，而绝缘层则覆盖在该粘着层上。
半导体存储装置

[发明专利]动态随机存取存储器的埋入式字符线及其制作方法-CN201710733801.2有效
发明人：陈品宏;陈意维;陈姿洁;蔡志杰;吴佳臻;张凯钧;黄怡安;郑存闵 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开一种动态随机存取存储器的埋入式字符线及其制作方法。其制作方法为首先形成一凹槽于一基底内，然后形成一第一导电层于凹槽内，再形成一第二导电层于第一导电层上，其中设于基底上方的第二导电层以及设于基底下方的第二导电层具有不同厚度。之后再形成一第三导电层于第二导电层上并填满凹槽。
动态随机存取存储器埋入字符及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810342006.5有效
发明人：刘子豪;陈意维;郑存闵;张凯钧;吴佳臻;黄怡安;吴柏志;陈品宏;邱钧杰;陈姿洁;刘志建;蔡志杰;林佶民 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，主要先形成一氮化钛层于一硅层上，然后进行一第一处理制作工艺将氮化钛层以及二氯硅甲烷(dichlorosilane,DCS)反应形成一氮化钛硅(TiSiN)层，形成一导电层于氮化钛硅层上，再图案化该导电层、该氮化钛硅层以及该硅层以形成一栅极结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]存储器元件中的存储点接触结构与其制作方法-CN201710239078.2有效
发明人：陈品宏;郑存闵;蔡志杰;陈姿洁;张凯钧;吴佳臻;黄怡安;陈意维;黄信富;许启茂;冯立伟;王嫈乔;冯仲彦 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器元件中的存储点接触结构与其制作方法。该存储器元件中的存储点接触(storage node contact)结构包含一基底，该基底上有一介电层，该介电层中包含有一凹槽，一第一钨金属层，位于该凹槽中，并且填满该凹槽，一粘着层，位于该第一钨金属层上，以及一第二钨金属层，位于该粘着层上，其中该第二钨金属层由一物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD)的方式形成。
存储器元件中的存储点接触结构与其制作方法

[发明专利]半导体结构的制作方法-CN201710413587.2有效
发明人：陈品宏;蔡志杰;陈姿洁;张凯钧;吴佳臻;黄怡安;郑存闵;陈意维;刘玮鑫 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构的制作方法，包含提供一材料层，在该材料层中形成一凹槽。在一第一温度下形成一第一钨金属层，填满该凹槽。接着于一第二温度下进行一热处理，其中该第二温度大于该第一温度。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810337007.0有效
发明人：邱钧杰;陈品宏;陈意维;郑存闵;刘志建;陈姿洁;蔡志杰;张凯钧;黄怡安;吴佳臻;刘子豪 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，主要先形成一硅层于一基底上，然后形成一金属氮化硅层于该硅层上，其中金属氮化硅层包含一下半部、一中半部以及一上半部且该上半部的硅浓度大于该中半部的硅浓度。接着形成一导电层于金属氮化硅层上，再图案化导电层、金属氮化硅层以及硅层以形成一栅极结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]制作半导体元件的方法-CN201710116620.5有效
发明人： 吴佳臻;陈品宏;张凯钧;黄怡安;蔡志杰;陈姿洁;郑存闵;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种制作半导体元件的方法。先提供一基底，具有一导电区域。再于导电区域上沉积一金属层，其中该金属层与导电区域的硅反应形成一第一硅化金属层，其具有一第一金属原子百分比。接着于金属层上沉积一氮化钛层。再于氮化钛层上沉积一介电盖层。再进行退火制作工艺，将第一硅化金属层转变成具有一第二金属原子百分比的一第二硅化金属层，其中该第二金属原子百分比小于该第一金属原子百分比。
金属原子硅化金属层导电区域金属层沉积半导体元件退火一氮化钛层氮化钛层制作工艺电盖基底制作

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201710090300.7有效
发明人：陈品宏;郑存闵;蔡志杰;陈姿洁;张凯钧;吴佳臻;黄怡安;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体元件的方法包括：首先形成一浅沟隔离于一基底内，然后去除部分浅沟隔离以形成一第一凹槽，形成一遮盖层于第一凹槽内，形成一掩模层于遮盖层及基底上以及去除部分该罩层、部分该盖层以及部分浅沟隔离以形成一第二凹槽。
半导体元件浅沟隔离遮盖层基底去除制作掩模层盖层罩层

[发明专利]电连接电容插塞的硅化钴层的制作方法-CN201710584713.0在审
发明人： 吴佳臻;陈意维;许启茂;张凯钧;蔡志杰;陈品宏;郑存闵;黄怡安 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种电连接电容插塞的硅化钴层的制作方法。其硅化钴层的制作方法，包含提供一基底放置于一腔室中，然后进行一沉积制作工艺，在基底温度介于50℃至100℃之间以及腔室温度介于300℃至350℃之间时，形成一钴材料层覆盖基底，然后在沉积制作工艺之后，进行一退火制作工艺，在基底维持于300℃至350℃之间时，进行退火制作工艺50秒至60秒之间，使得钴材料层反应成为一硅化钴层。
硅化钴层基底沉积制作工艺退火制作工艺电容材料层电连接插塞制作腔室覆盖

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