[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：对第一通孔底部露出的源漏掺杂区进行预非晶化处理；在预非晶化处理后，在所述第一通孔底部露出的源漏掺杂区上形成保护层；在保护层上形成填充满第一通孔的图形层，且位于介质层顶部的图形层内具有开口；以图形层为掩膜，沿开口刻蚀所述介质层直至露出所述栅极结构顶部，在所述介质层内形成露出所述栅极结构顶部的第二通孔；在含氧氛围下去除所述图形层；去除保护层；在第一通孔底部露出的源漏掺杂区上形成金属接触层；在金属接触层上形成填充满所述第一通孔的导电插塞，同时形成填充满所述第二通孔的栅极插塞。本发明降低了源漏掺杂区与金属接触层之间的接触电阻，优化了半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述栅极结构露出的基底上以及栅极结构顶部上形成有介质层；形成贯穿所述介质层且露出所述源漏掺杂区表面的第一通孔；对所述第一通孔底部露出的源漏掺杂区进行预非晶化处理；在进行所述预非晶化处理后，在所述第一通孔底部露出的源漏掺杂区上形成保护层；在所述保护层上形成填充满第一通孔的图形层，所述图形层还位于所述介质层顶部，且位于所述介质层顶部的图形层内具有开口；以所述图形层为掩膜，沿所述开口刻蚀所述介质层直至露出所述栅极结构顶部，在所述介质层内形成露出所述栅极结构顶部的第二通孔；在含氧氛围下去除所述图形层；去除所述保护层；在去除所述保护层之后，在所述第一通孔底部露出的源漏掺杂区上形成金属接触层；在所述金属接触层上形成填充满所述第一通孔的导电插塞，同时形成填充满所述第二通孔的栅极插塞。