[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710372816.0 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933107A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底内具有源漏掺杂区，所述基底和源漏掺杂区上具有介质层；去除源漏掺杂区上的部分介质层，形成介质开口，所述介质开口底部暴露出源漏掺杂区的顶部表面；去除介质开口底部部分源漏掺杂区，在源漏掺杂区内形成源漏开口；在源漏开口的侧壁和底部表面形成金属硅化物层。所述方法能够降低半导体器件的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏掺杂区 基底 半导体结构 开口 源漏开口 介质层 去除 金属硅化物层 半导体器件 底部表面 顶部表面 接触电阻 侧壁 源漏 掺杂 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有源漏掺杂区，所述基底和源漏掺杂区上具有介质层；去除源漏掺杂区上的部分介质层，形成介质开口，所述介质开口底部暴露出源漏掺杂区的顶部表面；去除介质开口底部的部分源漏掺杂区，在所述源漏掺杂区内形成源漏开口；在所述源漏开口侧壁和底部表面形成金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
