专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种连续型硅薄膜处理系统及方法-CN201510834067.X有效
  • 许修齐;王仁宏 - 上海和辉光电有限公司
  • 2015-11-25 - 2020-04-28 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种半导体制作技术领域,尤其涉及一种连续型硅薄膜处理系统,包括:激光模块,第二光学镜片,第一光学镜片,激光模块发射激光光束;第二光学镜片,设置于硅薄膜的上方,第一光学镜片,临近第二光学镜片设置于硅薄膜的上方;通过第二光学镜片对硅薄膜表面进行预处理,该预处理不会使得硅薄膜表面化,但是会在多晶薄膜表面以下0.25μm深度造成损失。再通过第一光学镜片进行化处,第一光学镜片的激光光束能经过预处理多晶薄膜进行均匀化处
  • 一种连续型非晶硅薄膜处理系统方法
  • [发明专利]一种用于制备单晶包层的方法及装置-CN202110814718.4有效
  • 王宇;顾鹏;梁振兴 - 眉山博雅新材料股份有限公司
  • 2021-07-19 - 2022-06-03 - C03C25/106
  • 本说明书实施例提供一种用于制备单晶包层的方法及装置,该方法包括:制备相物料;熔化相物料以形成相熔体;将光纤浸没于相熔体中;基于相熔体和光纤,在光纤外周形成相包层;以及对相包层进行化处该装置包括:相物料制备组件、相包层制备组件和单晶包层制备组件。相物料制备组件用于制备相物料。相包层制备组件用于熔化相物料以形成相熔体;将光纤浸没于相熔体中;以及基于相熔体和光纤,在光纤外周形成相包层。单晶包层制备组件用于对相包层进行化处,得到单晶包层。
  • 一种用于制备包层方法装置
  • [实用新型]一种特殊钢材加工用表面化处装置-CN201921114434.9有效
  • 侯超伟 - 侯超伟
  • 2019-07-17 - 2020-04-14 - C21D10/00
  • 本实用新型涉及钢材化处技术领域,公开了一种特殊钢材加工用表面化处装置,为了解决特殊钢材表面化的问题,所述第二固定转轴通过转动杆与操作台转动连接,所述第一电机通过主动齿轮与从动齿轮转动连接本实用新型通过第一丝杆带动升降台升降以及第二丝杆带动升降台前后移动,能够对特殊钢材进行全面的化处,通过第一电机带动操作台转动,能够加强对特殊钢材的化处的工作效率,通过定位杆与滑动齿槽对升降台的支撑固定,能够保证激光发射器在移动时的稳定性,从而提高对化处的精准性。
  • 一种特殊钢材工用表面非晶化处理装置
  • [发明专利]一种金属软磁磁粉芯的制备方法-CN201510195793.1有效
  • 张章明 - 横店集团东磁股份有限公司
  • 2015-04-22 - 2017-04-05 - H01F1/153
  • 本发明公开了一种金属软磁磁粉芯的制备方法。它包括如下步骤(1)将带材进行脆化处,脆化后的带材进行破碎处理,得到金属粉末;(2)将金属粉末筛分,进行粒度配比;(3)将配比后的金属粉末进行钝化处;(4)将磷酸钝化的金属粉末进行绝缘包覆处理;(5)加入粘结剂,将包覆后的金属粉末进行造粒处理;(6)将造粒后的金属粉末,进行磁场取向成型;(7)将取向成型后的磁芯进行纵磁热处理;(8)热处理后的磁芯冷却后进行喷漆处理,获得产品。本发明的有益效果是在磁芯内部形成磁畴,降低矫顽力和损耗,可以进一步降低磁芯损耗,提高磁导率,以及提高磁芯软磁性能,并降低成本。
  • 一种金属软磁磁粉芯制备方法
  • [发明专利]鳍式场效应晶体管的制备方法-CN202210639209.7在审
  • 姚周 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-06-07 - 2022-10-11 - H01L21/336
  • 本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制备方法,先对鳍部的顶部进行化处,以在鳍部的顶部形成化层,然后对化层以及鳍部的侧壁进行氧化处,以使所述化层被氧化形成第一栅氧化层并使所述鳍部的侧壁被氧化形成第二栅氧化层,由于化层不具有固定的向,因此,在对化层以及鳍部的侧壁进行氧化处时,化层的氧化速率大于鳍部的侧壁的氧化速率,由此可以使得形成于鳍部顶部的第一栅氧化层的厚度大于形成于鳍部侧壁的第二栅氧化层的厚度
  • 场效应晶体管制备方法
  • [发明专利]AMOLED器件的阵列基板的制作方法-CN201710586435.2在审
  • 姜春生 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2017-07-18 - 2017-10-20 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种AMOLED器件的阵列基板的制作方法,其包括提供一基板,并在基板上沉积硅层;对硅层进行图形化处;在基板上沉积光阻,并对光阻进行图像化处;对薄膜晶体管的源极位置以及漏极位置的硅层进行离子注入操作;在基板上沉积栅极绝缘层以及栅极金属层,并对栅极金属层进行图像化处;在基板上沉积层间介质层,并对层间介质层进行图形化处;在基板上沉积电极金属层,并对所述电极金属层进行图形化处;在基板上沉积无机保护层,并对无机保护层进行图形化处;以及在基板上依次沉积电子注入层以及电子传输层。
  • amoled器件阵列制作方法

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