[发明专利]半导体结构和半导体器件的制造方法

摘要

一种方法包括接收具有衬底及多个第一栅极结构和多个第二栅极结构的前体，多个第一栅极结构的间距大于多个第二栅极结构的间距，还包括沉积覆盖衬底以及多个第一和第二栅极结构的介电层；并对介电层实施蚀刻工艺。蚀刻工艺去除介电层的位于衬底上方的第一部分，而介电层的第二部分保留在多个第一和第二栅极结构的侧壁上方。介电层的的第二部分在多个第二栅极结构的侧壁上方比在多个第一栅极结构的侧壁上方厚。还包括蚀刻衬底以形成分别邻近多个第一和第二栅极结构的多个第三和第四凹槽；以及分别在多个第三和第四凹槽中外延生长多个第五和第六半导体部件。本发明实施例涉及用于具有改进的源极漏极外延的半导体器件制造的方法。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：接收前体,所述前体具有衬底以及位于所述衬底上方的多个第一栅极结构和多个第二栅极结构，所述多个第一栅极结构具有比所述多个第二栅极结构的间距更大的间距；沉积覆盖所述衬底和所述多个第一栅极结构和所述多个第二栅极结构的第一介电层；对所述第一介电层实施第一蚀刻工艺，从而去除所述第一介电层的位于所述衬底上方的第一部分，同时所述第一介电层的第二部分保留在所述多个第一栅极结构的侧壁和所述多个第二栅极结构的侧壁上方，其中，所述第一介电层的在所述多个第二栅极结构的所述侧壁上方的所述第二部分厚于所述第一介电层的在所述多个第一栅极结构的所述侧壁上方的所述第二部分；蚀刻所述衬底以分别形成邻近所述多个第一栅极结构和所述多个第二栅极结构的多个第三凹槽和多个第四凹槽；以及在所述多个第三凹槽和所述多个第四凹槽中分别外延生长多个第五半导体部件和多个第六半导体部件。