[发明专利]半导体结构和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

接收前体,所述前体具有衬底以及位于所述衬底上方的多个第一栅极结构和多个第二栅极结构，所述多个第一栅极结构具有比所述多个第二栅极结构的间距更大的间距；

沉积覆盖所述衬底和所述多个第一栅极结构和所述多个第二栅极结构的第一介电层；

对所述第一介电层实施第一蚀刻工艺，从而去除所述第一介电层的位于所述衬底上方的第一部分，同时所述第一介电层的第二部分保留在所述多个第一栅极结构的侧壁和所述多个第二栅极结构的侧壁上方，其中，所述第一介电层的在所述多个第二栅极结构的所述侧壁上方的所述第二部分厚于所述第一介电层的在所述多个第一栅极结构的所述侧壁上方的所述第二部分；

蚀刻所述衬底以分别形成邻近所述多个第一栅极结构和所述多个第二栅极结构的多个第三凹槽和多个第四凹槽；以及

在所述多个第三凹槽和所述多个第四凹槽中分别外延生长多个第五半导体部件和多个第六半导体部件，以使得所述第五半导体部件的体积大于所述第六半导体部件的体积。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺是循环工艺，所述循环工艺具有重复的蚀刻循环和沉积循环。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述沉积循环在所述第一介电层的所述第二部分上方沉积聚合物。

4.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述第一介电层包括氮化硅；以及

所述蚀刻循环使用具有含氟的化学物的蚀刻气体，以及所述沉积循环使用具有碳和氢的沉积气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻气体包括CH₃F或CF₄，以及所述沉积气体包括CH₄。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺包括所述蚀刻循环和所述沉积循环的四个以上的重复。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第三凹槽比所述多个第四凹槽深。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个第三凹槽比所述多个第四凹槽深至少15纳米。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第三凹槽至相应的所述多个第一栅极结构的第一接近度小于所述多个第四凹槽至相应的所述多个第二栅极结构的第二接近度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括鳍有源区，所述多个第一栅极结构和所述多个第二栅极结构接合所述鳍有源区，以及蚀刻所述多个第三凹槽和所述多个第四凹槽至所述鳍有源区内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第五半导体部件是用于逻辑器件的源极和漏极(S/D)部件以及所述多个第六半导体部件是用于存储器件的源极和漏极部件。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在沉积所述第一介电层之前，在所述多个第一栅极结构的所述侧壁和所述多个第二栅极结构的所述侧壁上形成栅极间隔件。