[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上具有一存储区以及一逻辑区，然后形成一堆叠结构于存储区以及一栅极结构于逻辑区，形成一第一遮盖层于堆叠结构及栅极结构上，进行一氧化处里制作工艺以形成一氧化层于第一遮盖层表面，以及形成一第二遮盖层于氧化层上。之后去除部分逻辑区的部分第二遮盖层、部分氧化层以及部分第一遮盖层以形成一间隙壁于栅极结构侧壁。

主权项

1.一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上具有存储区以及逻辑区；形成一堆叠结构于该存储区以及一栅极结构于该逻辑区；形成一第一遮盖层于该堆叠结构及该栅极结构上；进行一氧化处里制作工艺以形成一氧化层于该第一遮盖层表面；形成一第二遮盖层于该氧化层上；以及去除部分该逻辑区的部分该第二遮盖层、部分该氧化层以及部分该第一遮盖层以形成一间隙壁于该栅极结构侧壁。