[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底，该基底上具有存储区以及逻辑区；

于该基底的该存储区中形成多个埋入式栅极结构；

形成一堆叠结构于该存储区以及一栅极结构于该逻辑区，其中该堆叠结构与该栅极结构包括相同材料叠层；

形成一第一遮盖层于该堆叠结构及该栅极结构上；

进行一氧化处理制作工艺以形成一氧化层于该第一遮盖层表面；

形成一第二遮盖层于该氧化层上；

形成一第一图案化掩模于该存储区上；

以该第一图案化掩模为掩模去除部分该逻辑区的部分该第二遮盖层、部分该氧化层以及部分该第一遮盖层以形成一第一间隙壁于该栅极结构侧壁；

形成一第二图案化掩模于该栅极结构上并覆盖该第一间隙壁；以及

以该第二图案化掩模为掩模并且以该氧化层为阻挡层，去除该存储区的该第二遮盖层。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成一第三遮盖层于该堆叠结构以及该栅极结构上；

形成一第二图案化掩模于该逻辑区；以及

以该第二图案化掩模为掩模去除该存储区的该第三遮盖层及该第二遮盖层，剩余在该逻辑区的该第三遮盖层为第二间隙壁。

3.如权利要求2所述的方法，另包含利用一第一蚀刻剂去除该存储区的该第三遮盖层。

4.如权利要求3所述的方法，其中该第一蚀刻剂包含稀释氢氟酸。

5.如权利要求2所述的方法，另包含利用一第二蚀刻剂去除该存储区的该第二遮盖层。

6.如权利要求5所述的方法，其中该第二蚀刻剂包含热磷酸。

7.如权利要求2所述的方法，其中该第三遮盖层包含氧化硅。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第一遮盖层包含氮碳化硅。

9.如权利要求1所述的方法，其中该氧化层包含氮氧碳化硅。

10.如权利要求1所述的方法，其中该第二遮盖层包含氮化硅。

11.一种半导体元件，包含：

基底，该基底上具有存储区以及逻辑区，其中该基底的该存储区中包括多个埋入式栅极结构；

栅极结构，设于该逻辑区的该基底上；

堆叠结构，设于该存储区的该基底上，其中该堆叠结构与该栅极结构包括相同材料叠层；以及

第一遮盖层，位于该堆叠结构的侧壁及顶面以及该栅极结构的侧壁上；

氧化层，位于该第一遮盖层上；以及

第二遮盖层，位于该栅极结构的侧壁上的氧化层上，其中该第一遮盖层、该氧化层以及该第二遮盖层位于该栅极结构的侧壁上的部分构成第一间隙壁，其中该氧化层于该第二遮盖层的一蚀刻剂具有阻挡功效。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一遮盖层为L型。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该氧化层为L型。

14.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第二遮盖层为一字型。

15.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一遮盖层包含氮碳化硅。

16.如权利要求11所述的半导体元件，其中该氧化层包含氮氧碳化硅。

17.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第二遮盖层包含氮化硅。

18.如权利要求11所述的半导体元件，另包含一第二间隙壁设于该第一间隙壁旁以及该栅极结构正上方。

19.如权利要求18所述的半导体元件，其中该第二间隙壁包含氧化硅。