[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611110242.1 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108155155B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 宋春;钟怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括器件区和包围所述器件区的保护区；位于所述保护区衬底上的保护环结构；位于所述器件区衬底上的电连接结构；位于所述保护环结构和所述电连接结构上的顶层介质层，所述顶层介质层完全覆盖所述保护环结构，且所述器件区顶层介质层中具有暴露出电连接结构的开口；位于所述开口中的焊盘；位于所述顶层介质层上的钝化层，所述钝化层暴露出所述焊盘；连接所述焊盘的导线，所述导线横跨所述保护区。由于所述顶层介质层完全覆盖所述保护环结构，则所述保护区钝化层表面不具有凸出部，从而不容易使所述保护区钝化层与所述导线接触，从而能够减少漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括器件区和包围所述器件区的保护区；位于所述保护区衬底上的保护环结构；位于所述器件区衬底上的电连接结构；位于所述保护环结构和所述电连接结构上的顶层介质层，所述顶层介质层完全覆盖所述保护区，且所述器件区顶层介质层中具有暴露出电连接结构的开口；位于所述开口中的焊盘；位于所述顶层介质层上的钝化层，所述钝化层暴露出所述焊盘；连接所述焊盘的导线，所述导线横跨所述保护区钝化层。
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