[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括器件区和包围所述器件区的保护区；

位于所述保护区衬底上的保护环结构；

位于所述器件区衬底上的电连接结构；

位于所述保护环结构和所述电连接结构上的顶层介质层，所述顶层介质层完全覆盖所述保护区，且所述器件区顶层介质层中具有暴露出电连接结构的开口；

位于所述开口中以及所述开口两侧的焊盘；

位于所述顶层介质层上的钝化层，所述钝化层仅暴露出位于所述开口中的焊盘，且位于所述开口两侧的焊盘上的钝化层高于覆盖所述保护区的钝化层；

连接所述焊盘的导线，所述导线横跨所述保护区钝化层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底器件区的器件结构，所述器件结构与所述电连接结构电连接。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护环结构包括单个或多个保护单元，所述保护单元包括：位于所述保护区衬底上的保护层间介质层，位于所述保护层间介质层中的保护插塞，以及位于所述保护层间介质层和保护插塞上的保护金属层；

所述电连接结构包括单个或多个连接单元，所述连接单元包括：位于所述器件区衬底上的器件层间介质层，位于所述器件层间介质层中的器件插塞，所述器件插塞贯穿所述器件层间介质层，以及位于所述器件层间介质层和器件插塞上的器件金属层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述保护单元和所述连接单元的个数为多个且个数相同，在所述保护环结构中，保护层间介质层沿垂直于所述衬底表面的方向上层叠设置；在电连接结构中，器件层间介质层在沿垂直于所述衬底的方向上层叠设置。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述保护插塞的材料为铜或钨；所述保护金属层的材料为铜、铝或铜铝。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导线的材料为铜或铝。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述焊盘的材料为铝、铜或铜铝。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述顶层介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述钝化层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述顶层介质层的厚度为7000埃～9000埃。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述钝化层的厚度为7000埃～9000埃。

12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区和包围所述器件区的保护区；

在所述器件区衬底上形成电连接结构；

在所述保护区衬底上形成保护环结构；

在所述保护环结构和所述电连接结构上形成顶层介质层，所述顶层介质层完全覆盖所述保护区，且所述器件区顶层介质层中具有暴露出电连接结构的开口；

在所述开口中以及所述开口两侧形成焊盘；

在所述保护区顶层介质层上形成钝化层，所述钝化层仅暴露出所述开口中的焊盘，且位于所述开口两侧的焊盘上的钝化层高于覆盖所述保护区的钝化层；

形成连接所述焊盘的导线，所述导线横跨所述保护区钝化层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述顶层介质层的步骤包括：在所述电连接结构和所述保护环结构上形成初始顶层介质层；对所述初始顶层介质层进行刻蚀，形成顶层介质层和位于所述器件区顶层介质层中的开口。