[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611089415.6 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106971997A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈英儒;陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括贯通孔；模制件，围绕贯通孔；介电层，设置在管芯、贯通孔和模制件上方；以及导电构件，设置在介电层内、设置在贯通孔上方、以及与贯通孔电连接，其中，导电构件包括第一突出部分和第二突出部分，并且第一突出部分沿着第一方向从贯通孔横向突出第一长度，第二突出部分沿着第二方向从贯通孔横向突出第二长度，第一方向基本正交于第二方向，以及第一长度基本大于第二长度。本发明还提供了半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：贯通孔；模制件，围绕所述贯通孔；介电层，设置在所述贯通孔和所述模制件上方；以及导电构件，设置在所述介电层内、设置在所述贯通孔上方、以及与所述贯通孔电连接，其中，所述导电构件包括第一突出部分和第二突出部分，并且所述第一突出部分沿着第一方向从所述贯通孔横向突出第一长度，所述第二突出部分沿着第二方向从所述贯通孔横向突出第二长度，所述第一方向正交于所述第二方向，以及所述第一长度大于所述第二长度。
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