[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

使用半导体器件的电子设备对许多现代应用来说至关重要。随着电子技术的进步，半导体器件的尺寸正变得越来越小，同时具有更多的功能和更大量的集成电路。由于半导体器件的小型化的规模，晶圆级封装(WLP)由于其低成本和相对简单的制造操作而得到广泛应用。在WLP操作期间，许多半导体组件装配在半导体器件上。此外，在这种小半导体器件内实施多个制造操作。

然而，半导体器件的制造操作涉及在这样的小且薄的半导体器件上的许多步骤和操作。缩小规模的半导体器件的制造变得更加复杂。制造半导体器件的复杂程度的增加会导致诸如不良电互连、裂缝的出现、组件的分层、组件的不正确放置或其他问题的缺陷，从而导致半导体器件的高产量损失。半导体器件产生为不期望的配置，这将使材料损耗进一步恶化并且因此增加制造成本。这样，修改半导体器件的结构和改进制造操作存在许多挑战。

半导体器件装配有大量的集成部件，这些部件包括具有不同热性能的各种材料。由于涉及更多具有不同材料的不同部件，所述增加了半导体器件的制造操作的复杂程度。修改半导体器件的结构和改进制造操作方面具有更大的挑战。因此，需要不断地改进半导体的制造并解决以上缺陷。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种半导体结构，包括：贯通孔；模制件，围绕所述贯通孔；介电层，设置在所述贯通孔和所述模制件上方；以及导电构件，设置在所述介电层内、设置在所述贯通孔上方、以及与所述贯通孔电连接，其中，所述导电构件包括第一突出部分和第二突出部分，并且所述第一突出部分沿着第一方向从所述贯通孔横向突出第一长度，所述第二突出部分沿着第二方向从所述贯通孔横向突出第二长度，所述第一方向正交于所述第二方向，以及所述第一长度大于所述第二长度。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体结构，包括：管芯；贯通孔，设置为邻近所述管芯；模制件，围绕所述管芯和所述贯通孔；以及再分布层(RDL)，设置在所述管芯、所述模制件和所述贯通孔上方，其中，所述再分布层包括介电层和设置在所述介电层内的导电构件，所述介电层设置在所述管芯、所述模制件和所述贯通孔上方，所述导电构件设置在所述贯通孔上方并且与所述贯通孔电连接，所述导电构件的顶部截面的面积大于所述贯通孔的顶部截面的面积，并且所述导电构件包括轴，所述轴与所述导电构件的顶部截面的最长长度平行并且指向所述管芯。

根据本发明的又一方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供管芯；邻近所述管芯形成贯通孔；在所述管芯和所述贯通孔周围设置模制件；以及在所述模制件、所述贯通孔和所述管芯上方设置介电层；以及在所述贯通孔上方形成导电构件以与所述贯通孔电连接，其中，所述导电构件包括第一突出部分和第二突出部分，并且所述第一突出部分沿着第一方向从所述贯通孔横向突出第一长度，所述第二突出部分沿着第二方向从所述贯通孔横向突出第二长度，所述第一长度大于所述第二长度，以及所述第一方向正交于所述第二方向。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性截面图。

图2是根据本发明的一些实施例的具有圆形贯通孔和椭圆形导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。

图3是根据本发明的一些实施例的具有四边形贯通孔和椭圆形导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。

图4是根据本发明的一些实施例的具有四边形贯通孔和四边形导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。

图5是根据本发明的一些实施例的具有圆形贯通孔和四边形导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。

图6是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性截面图。

图7是根据本发明的一些实施例的具有设置为邻近管芯的角部的导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。

图8是根据本发明的一些实施例的具有设置为邻近管芯的边缘的导电构件的半导体结构的一部分的示意性顶部截面图(从半导体结构的顶部观看的截面图)。