[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201611066804.7 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106898597B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、至少一个第一栅极结构、至少一个第一间隔件、至少一个源漏结构和导电插塞。所述第一栅极结构位于所述衬底上。所述第一间隔件位于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上。所述源漏结构邻近所述第一间隔件。所述导电插塞电连接至所述源漏结构，同时在所述导电插塞和所述第一间隔件之间留有间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，位于所述衬底上；至少一个第一间隔件，位于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上；至少一个源漏结构，邻近于所述第一间隔件；以及导电插塞，电连接至所述源漏结构，同时在所述导电插塞与所述第一间隔件之间留下间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611066804.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
