[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 201610984517.8 申请日: 2016-11-09
公开(公告)号: CN107017222B 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 梁志豪;波姆皮奥·V·乌马里;杨顺迪;林根伟 申请(专利权)人: 安世有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 麦善勇;张天舒
地址: 荷兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开一种半导体装置以及一种制造该半导体装置的方法。该装置包括具有主表面的半导体基板、位于该主表面上的一个或多个接触以及覆盖至少该主表面的包封物。每个接触的外围边缘限定主该表面上的接触面积。该装置还包括位于该包封物外部的一个或多个结合衬垫。每个结合衬垫通过穿过该包封物的相应金属填充通孔电连接到相应接触,该接触位于该基板的该主表面上。当从该基板的该主表面上方查看时,每个相应金属填充通孔的侧壁在该通孔与该相应接触接合的点处落入由该相应接触限定的该接触面积内,由此填充每个相应通孔的该金属都不会延伸到每个相应接触的该接触面积外部。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体基板,所述半导体基板具有主表面;包封物,所述包封物覆盖所述基板的至少所述主表面;一个或多个接触,所述接触位于所述主表面上,其中每个接触的外围边缘在所述主表面上限定接触面积;以及一个或多个结合衬垫,所述结合衬垫位于所述包封物外部,其中每个结合衬垫通过穿过所述包封物的相应金属填充通孔电连接到相应接触,所述接触位于所述基板的所述主表面上,并且其中当从所述基板的所述主表面上方查看时,每个相应金属填充通孔的侧壁在所述通孔与所述相应接触接合的点处落入由所述相应接触限定的所述接触面积内,由此填充每个相应通孔的所述金属都不会延伸到每个相应接触的所述接触面积外部。
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