[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法

说明书

本发明公开一种半导体装置以及一种制造该半导体装置的方法。该装置包括具有主表面的半导体基板、位于该主表面上的一个或多个接触以及覆盖至少该主表面的包封物。每个接触的外围边缘限定主该表面上的接触面积。该装置还包括位于该包封物外部的一个或多个结合衬垫。每个结合衬垫通过穿过该包封物的相应金属填充通孔电连接到相应接触，该接触位于该基板的该主表面上。当从该基板的该主表面上方查看时，每个相应金属填充通孔的侧壁在该通孔与该相应接触接合的点处落入由该相应接触限定的该接触面积内，由此填充每个相应通孔的该金属都不会延伸到每个相应接触的该接触面积外部。

技术领域

本说明书涉及一种半导体装置以及一种制造半导体装置的方法。

背景技术

晶片级封装(Wafer level package，WLP)对需要小占用面积且具有改进电气性能的应用变得越来越重要。例如，晶片级封装通常用于例如移动电话等的移动通信装置中。

晶片级封装通常包括具有主表面的基板，一个或多个电接触提供在该主表面上。焊接凸点可以用于将封装安装在表面(例如，印刷电路板(printed circuit board，PCB))上并且与位于主表面上的电接触形成电连接。包封物可以用于为基板提供电气和机械保护。术语“晶片级封装”源自以下事实：在制造期间，可以在单体化之前将焊接凸点和包封物应用于半导体晶片。

发明内容

在随附的独立权利要求和从属权利要求中阐述了本发明的各方面。来自从属权利要求的特征的组合可以按需要与独立权利要求的特征组合，并且不仅仅是按照权利要求书中所明确地陈述的那样组合。

根据本发明的方面，提供一种半导体装置，该半导体装置包括：

半导体基板，该半导体基板具有主表面；

包封物，该包封物覆盖基板的至少主表面；

一个或多个接触，该接触位于主表面上，其中每个接触的外围边缘限定主表面上的接触面积；以及

一个或多个结合衬垫，该结合衬垫位于包封物外部，

其中每个结合衬垫通过穿过包封物的相应金属填充通孔电连接到相应接触，该接触位于基板的主表面上，并且

其中当从基板的主表面上方查看时，每个相应金属填充通孔的侧壁在该通孔与相应接触接合的点处落入由相应接触限定的接触面积内，由此填充每个相应通孔的金属都不会延伸到每个相应接触的接触面积外部。

根据本发明的另一方面，提供一种制造半导体装置的方法，该方法包括：

提供具有主表面的半导体基板；

形成位于主表面上的一个或多个接触，其中每个接触的外围边缘限定主表面上的接触面积；

沉积包封物以覆盖基板的至少主表面；

形成主表面上的穿过包封物的每个相应接触的通孔，其中当从基板的主表面上方查看时，每个通孔的侧壁在该通孔与相应接触接合的点处落入由相应接触限定的接触面积内；

用金属填充每个通孔，其中填充每个通孔的金属都不会延伸到每个相应接触的接触面积外部；以及

形成位于包封物外部的一个或多个结合衬垫，其中每个结合衬垫通过用金属填充的相应通孔电连接到相应接触，该接触位于基板的主表面上。

提供金属填充通孔可以不需要将焊料(例如，焊料球)直接附接到基板的主表面上的接触。这样可以避免与直接接触半导体基板的主表面或任何侧壁的焊料薄片或多余助焊剂有关的问题。金属填充通孔本身的配置还可以防止用于连接到主表面上的接触的金属在这些接触的边缘上方延伸，否则可能会引起与焊料球的使用有关的类似问题，例如上文描述的那些问题，在该配置中，金属填充通孔的侧壁落入由该通孔所接合的相应接触限定的接触面积内。