[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610969659.7 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN107017225B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈威廷;张哲诚;吕祯祥;刘又诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种具有锥形镶嵌孔口的半导体结构。该半导体结构包括位于层间介电(ILD)层上方的蚀刻停止层、位于蚀刻停止层上方的低k介电层、以及至少进入低k介电层中的锥形孔口；其中，使用铜(Cu)填充锥形孔口，孔口的安装表面部分的宽度从第一较宽宽度向内锥化至在孔口的底部表面部分处的第二较窄宽度，并且锥形孔口的底部表面部分的宽度小于50nm。本发明还公开了制造半导体结构的相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：蚀刻停止层，位于层间介电(ILD)层上方；低k介电层，位于所述蚀刻停止层上方；以及至少进入所述低k介电层中的锥形孔口；其中，使用铜(Cu)填充所述锥形孔口，所述孔口的安装表面部分的宽度从第一较宽宽度向内锥化至在所述孔口的底部表面部分处的第二较窄宽度，并且所述锥形孔口的底部表面部分的宽度小于50nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610969659.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
